据介绍，这一设备能够实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，年产能达到20000片碳化硅衬底，良率达到95%以上，与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，并且设备售价仅为国外同类产品的1/3。
7月12日，通用半导体利用该设备成功实现剥离出130 μm厚度超薄SiC晶圆片；而在去年12月，该公司SiC晶锭8英寸剥离产线正式交付客户。
众所周知，目前碳化硅衬底的加工成薄圆片主要采用传统的多线切割技术，但这种技术加工效率低、环境负担重、材料损耗大，加工过程的材料损耗率高达50%以上，导致晶片成本高，衬底昂贵，难以大规模应用。
而激光剥离技术的核心是利用激光脉冲在晶锭内部预设深度形成碳化硅的非晶化破坏层，再借助外力作用，使晶片从非晶化层处分离，从而获得目标厚度的晶片。
通用半导体董事长陶为银曾介绍，采用基于激光工具和加工技术切割、剥离碳化硅晶锭，可实现高效、精确和高质量的制造，极大地降低碳化硅衬底的生产成本，减少浪费和环境影响。
来源：行家说三代半
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