目前，全球只有荷兰的 ASML 能够生产用于先进芯片制造的EUV光刻机，每台设备造价高达数亿美元。而在这套复杂系统内部，真正技术壁垒最高、研发难度最大的，正是用于产生13.5 nm波长EUV光源的激光器。
12月2日消息称，美国政府决定投资一家激光初创企业xLight，预计成为其最大股东。该公司今年7月份获得了4000万美元的投资，日前又获得了美国商务部下属的CHIPS研究与开发办公室(CRDO)的投资，金额为1.5亿美元。
xLight的目标并非打造整台光刻机，而是突破当前极紫外（EUV）光刻系统中最难、也是最关键的部分——激光器。xLight计划开发自由电子激光器（FEL）为光源的EUV光刻系统，设备尺寸可达100 m×50 m，计划在2028年原型机问世。
xLight公司的FEL激光器功率可达1000 W，而ASML的EUV光源是250 W水平，相当于4倍于当前EUV光刻机。这样的功率不仅可以大幅提升EUV生产芯片的效率，同时还可以一套FEL光源服务20多台光刻机，而且寿命长达30年，将晶圆加工效率提升30%至40%，同时大幅降低能耗。
公司甚至将目标瞄准了更先进的2 nm波长，这意味着，如果技术成功，芯片制造精度有望显著提升，有助于延续“摩尔定律”的生命力。目前，公司由曾任职政府实验室和量子计算企业的 Nicholas Kelez 担任CEO，前英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）出任xLight董事会执行主席。
美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）表示，该投资标志着美国政府加大对战略性半导体制造技术的直接投资力度，这项合作将支持一项能够"从根本上重写芯片制造极限"的技术。xLight的FEL平台代表突破性创新，将恢复美国领导力、保障供应链，并确保下一代半导体在美国诞生。
在xLight之外，美国也在鼓励更多本土半导体技术挑战者涌现。由彼得·蒂尔支持的初创公司 Substrate 近期也宣布融资1亿美元，计划打造美国自己的EUV替代方案；与此同时，政府也在向台积电等企业施压，希望扩大其在美国本土的投资规模。
来源：快科技、华尔街见闻
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