在全球高端存储芯片竞争白热化的当下，韩国科技巨头三星电子迎来了里程碑式的突破。
据韩国媒体最新报道，三星凭借其 12 层堆叠的 HBM3E 产品，成功通过 NVIDIA 的严格认证，正式跻身这位 “绿队” 巨头的 HBM 供应链体系。
早在冲击 NVIDIA HBM 供应链初期，三星的 HBM3 产品便因散热问题遭遇滑铁卢，后续调查证实，这一缺陷根源在于其 DRAM（动态随机存取存储器）技术的设计漏洞。为扭转局面，三星曾转向 8 层 HBM3E 方案寻求突破，然而该方案沿用老旧的 1a 代第四代 DRAM 技术，导致性能不足与散热隐患并存，最终仍未获得 NVIDIA 的认可。连续的技术挫折，让三星在 HBM 这一高附加值赛道上一度陷入被动，甚至面临 “技术尊严” 的挑战 —— 毕竟在全球 AI 算力需求爆发的背景下，HBM 作为 AI 服务器的核心组件，已成为衡量存储厂商技术实力的关键标尺。
据行业消息源 KED Global 披露，为攻克技术难关，三星对 DRAM 芯片设计进行了大幅优化，从核心架构层面解决了此前的散热与性能瓶颈；同时，公司对 HBM 业务板块追加了高额重资产投入，涵盖生产线升级、研发团队扩充等关键环节。
目前 NVIDIA 的 HBM 供应主要依赖 SK 海力士与美光，这两家厂商已形成稳定的产能与合作体系，因此三星初期能获得的 12 层 HBM3E 订单规模相对有限。但三星显然将此次突破视为 “跳板”，其核心目标已瞄准下一代 HBM4 技术。据三星官方披露，依托最新的 1c 代 DRAM 技术，结合自家 4nm 逻辑芯片工艺，公司已成功研发出数据传输速率达 11Gbps 的 HBM4 产品，成为全球首个实现这一指标的厂商。这一技术优势，让三星有信心在 HBM4 时代与 SK 海力士、美光实现 “同步布局”，甚至争取更领先的市场地位。
除了巩固与 NVIDIA 的合作，三星计划将 HBM4 供应体系扩展至 AMD、博通、谷歌等科技巨头 —— 这些企业分别在 PC 处理器、网络芯片、云计算领域拥有核心话语权，其对 HBM4 的需求将为三星打开新的增长空间。
是说芯语转载，欢迎关注分享
