中红外区域波长内的基于半导体的光纤可以实现很多普通二氧化硅玻璃的光纤不能实现的功能，例如光电检测和光发射，光电探测可以通过III-V价和IV价半导体实现，而光发射可以使用III-V价半导体进行实现。
挪威科技大学（NTNU）的研究人员正在研制由III-V和IV半导体组成的光纤，并同时使用CO2激光进行加工从而改进光纤性能，将锑化镓（GaSb）融合在在红外光IV价半导体传输硅（Si）光纤中。为了制造光纤，研究人员将熔融GaSb / Si纤芯混合预制棒拉制成具有150 μm纤芯的纤维，其中Si中嵌入了小晶体GaSb并与纤维轴对齐。然后，他们用CO2激光加热光纤，以进一步隔离GaSb区域，使其周围的硅重新生长,沿着激光束的移动焦点可以形成含GaSb的区域，允许在Si内产生长达1.4 mm的GaSb晶体。
为了验证光纤性能，研究人员使用1064 nm的激发使GaSb晶体在1600 nm左右处发光，表明晶体质量很高，他们的研究成果表明光纤潜在应用价值不只是在传输光束，同时还具备检测光束和激发光束的意义
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