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“5 nm光刻技术”被误读，中科院研究者讲诉真相

光电汇OESHOW

2020-12-04

导读：该技术与极紫外光刻技术是两回事

今年7月，中国科学院官网上发布了一则研究进展，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究论文，介绍了该团队研发的新型 5 nm超高精度激光光刻加工方法。

该论文发表在《纳米快报》（Nano Letters）。图截自ACS官网

消息一经发出，外界一片沸腾，一些媒体称此技术可以“突破ASML的垄断”、“中国芯取得重大进展”，“中国不需要EUV光刻机就能制作出5 nm制程的芯片”。

该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前告诉《财经》记者，这是一个误读，这一技术与极紫外光刻技术是两回事。

极紫外光刻技术解决的主要是光源波长的问题，极紫外光刻技术（Extreme Ultra-violet，简称：EUV），是以10-14 nm波长的极紫外光作为光源的光刻技术。

集成电路线宽是指由特定工艺决定的所能光刻的最小尺寸，也就是我们通常说的“28 nm”、“40 nm”。这个尺寸主要由光源波长和数值孔径决定，掩模上电路版图的大小也能影响光刻的尺寸。目前主流的28 nm、40 nm、65 nm线宽制程采用的都是浸润式微影技术（波长为134 nm）。但到了5 nm这样的先进制程，由于波长限制，浸润式微影技术无法满足更精细的制程需要，这是极紫外光刻机诞生的背景。

而中科院研发的5 nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，这是集成电路光刻制造中不可缺少的一个部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。目前，国内制作的掩模版主要是中低端的，装备材料和技术大多来自国外。

刘前对《财经》记者说，如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造，则有望提高我国掩模版的制造水平，对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的。这一技术在知识产权上是完全自主的，成本可能比现在的还低，具有产业化的前景。

但是，即便这一技术实现商用化，要突破荷兰ASML（阿斯麦）（NASDAQ:ASML）在光刻机上的垄断，还有很多核心技术需要突破，例如镜头的数值孔径、光源的波长等。

如果把光刻机想象成一个倒置的投影仪，掩模就相当于幻灯片，光源透过掩模，把设计好的集成电路图形投影到光感材料上，再经蚀刻工艺将这样的图形转移到半导体芯片上。

示意图：电路设计图首先通过激光写在光掩模版上，光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面。

通常，每一个掩模版的版图都不一样，制作一枚芯片常常需要一套不同的掩模版。掩模版制作要求很高，致使其价格十分昂贵，如一套45 nm节点的CPU的掩模版大概就需要700万美元。如今，随着产品的个性化、小批量趋势，致使掩模版的价格在整个芯片成本中急速飞升。

高端掩模版在国内还是一项关键技术。在半导体领域，除了英特尔（NASDAQ:INTC）、三星（PINK:SSNLF）、台积电（NYSE:TSM）三家能自主制造外，高端掩模版主要被美国的Photronics（NASDAQ:PLAB）、大日本印刷株式会社（DNP）以及日本凸版印刷株式会社（Toppan）（PINK:TOPPY）三家公司垄断，根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院的数据，这三家公司的市场份额占到全球的82%。

数据来源：前瞻产业研究院

制图：陈伊凡

而且，这一技术如今尚在实验室阶段，要实现商用还有很长的路要走。ASML从1999年开始研发极紫外光刻机，到2010年才出了第一台原型机，2019年第一款7 nm极紫外工艺的芯片才开始商用，前后花了20年时间。这是一个技术从实验室走向商用所必须付出的时间成本。

半导体产业发展60多年，摩尔定律基本得以实现的关键就在于光刻机能不断实现更高分辨率，在单位面积芯片上制造更多的晶体管，提高芯片的集成度。如果没有光刻机，就没有芯片先进制造可言。根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院数据，2019年全球光刻机市场74%被荷兰的ASML公司垄断。ASML也是如今全球唯一一家能够量产极紫外光刻机的公司。