在对晶圆进行减薄前，将待处理的主晶圆通过一种可逆方式临时粘接在另一张“临时载板”（Carrier）上，形成一个更适合后续工艺的结构。
简单来说，就是“脆、薄的晶圆找个临时‘靠山’”，加工完之后再“分手”。
常见两种方式：
Spin-coating（旋涂）
涂在 device wafer 上，控制厚度：5–30 μm，烘烤让溶剂挥发，达到可键合状态
Laminate（贴膜）
温度＋压力＋真空下贴合
3：对准 + 临时键合到 Carrier
在 真空环境 下贴合：温度+压力+时间
4，背面减薄（Back grinding + CMP）
在 carrier 支撑下，背面粗磨 → 精磨 → CMP，把 wafer 磨到目标厚度：100 μm、50 μm、30 μm甚至更薄
5，解键合
将device wafer 与 carrier分离，一般的方法有：
激光解键合，UV解键合，高温解键合等，下期详细讲解
什么是carrier？
Carrier（临时载板 / 载体晶圆）就是在临时键合工艺里，用来“给超薄晶圆当骨架”的那片硬且厚的基片。
2，厚度与刚性：足够保证搬运、加工、对准的稳定性。
3，平整度/翘曲：TTV、Bow/Warp能够保证键合无空洞、对焦/对准/匀胶均匀性。
4，表面质量：Ra、洁净度、润湿性（疏/亲水）要满足
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