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目前主流的两种TSV铜填充方式是：
1，Bottom-Up Filling（自下而上填充）
2，Conformal Filling（均匀包覆填充）
Bottom-Up Filling
铜的沉积在孔底部优先生长，并逐渐向上推进直至填满整个通孔。
这是通过调整电化学镀液中的添加剂体系（抑制剂、加速剂、整平剂）来实现的。
抑制剂在孔口吸附更强，抑制上部沉积，而加速剂在孔底促进沉积，从而形成自下而上的“superfilling”过程。
特点：
填充过程从底部向上推进，无空洞（void-free）；
能实现高深宽比TSV的致密实心铜填充；
常用于高密度、高性能3D集成（例如HBM、逻辑互连等）；
Conformal Filling
铜在孔壁各处以近似相同的速度均匀沉积，在孔口、孔壁、孔底同时形成镀层。很容易形成空洞结构，而非完全实心填充。
特点：
沉积形貌均匀，容易形成空洞结构；
没有显著的自下而上生长特征；
适用于中低深宽比（AR ≤ 3:1）的通孔或MEMS器件。
Bottom-Up Filling与Conformal Filling对比
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