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有什么方法可以将晶圆减到超薄？

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有什么方法可以将晶圆减到超薄？

有什么方法可以将晶圆减到超薄？

Tom聊芯片智造

2025-11-24

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导读：知识星球（点击=》Tom的知识星球）里的学员问：为什么芯片要越来越薄，有什么方法能将晶圆减到超薄？什么叫超薄晶圆？

知识星球（点击=》Tom的知识星球）里的学员问：为什么芯片要越来越薄，有什么方法能将晶圆减到超薄？

什么叫超薄晶圆？

常见几个厚度概念（以 8"/12" 为例）：

常规晶圆：600–775 μm

薄晶圆：150–200 μm

超薄晶圆：100 μm 以下

极薄晶圆：50 μm、30 μm、甚至 10–20 μm

晶圆越来越薄的原因？

减小总厚度、缩短 TSV 长度、降低RC延迟

减小导通电阻、改善散热

终端产品的超薄需求

超薄晶圆的主要风险？

1，机械强度急剧下降，

2，翘曲严重

3，搬运难度大

4，正面结构极易损伤，容易破碎

有什么方法可以将晶圆减到超薄？

1，DBG工艺（Dicing Before Grinding）

把晶圆切到一半，但不切穿，让每颗 die 形状先定下来；背面仍然保持连接，晶圆整体性依旧存在。然后将晶圆背面开始磨薄，逐渐把未切透的硅磨掉，最后薄薄的一层硅被磨穿。详见之前的文章：

Disco公司的DBG工艺详解

2,Taiko 工艺

只把晶圆中间区域磨薄，边缘保留厚度。详见文章：

Taiko工艺能将硅片减到多薄？

Taiko晶圆是如何去环的？

3，临时键合工艺

临时键合就是把晶圆贴在一片“临时的骨架”上，让 wafer 从一个薄得像玻璃纸的脆片，变成一片可搬运、可加工的正常晶圆。它支撑 wafer，保护正面结构，抵抗热应力，让晶圆能薄到几十微米，还能做 TSV、电镀、键合等激烈工艺，是现代 3D 封装最关键的基础技术之一。

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