上一篇“流量统计”中，我介绍了MC中的计数器：UNC_M_RD_CAS_RANK0.ALLBANKS ，但最后perf的示例中，演示的是所有读流量统计。
所有读流量统计比较简单，RANK层流量统计，会复杂一些。但掌握了它，还可以在更细致的BG层、BANK层统计流量。
通过分析流量，你可以知道你要访问的内存到底走了那个通道、落在那个RANK、那个BG和BANK中。你将亲身经历一个内存的虚拟地址，是如何转变、映射，最终落到那个BANK的那一列中，内存是如何把数据传输给CPU，……等等。
Precharge、刷新、行选通、CAS……，等等干巴巴的枯燥概念，成为可以观察、可以研究的对象。你将彻底理解内存是如何被使用的。
只有了解了底层，才能清楚的明白，什么情况下算力只是纸面上的，什么情况下算力可以被真正的发挥。
在这个激动人心时刻到来之前，我们还需要学习一个概念：内存通道，Channel。
在图1的左右两边，有两个蓝色的块块，是MC，内存控制器，这个我们前面说到过了。Intel觉得MC名字不够响亮，又起了一个名字：IMC（Integrated Memory Controller）。后面会混用MC、IMC，都是指内存控制器。
图1有两个IMC：IMC0和IMC1。每个IMC中有三条内存通道，其中IMC0每条通道连接两个内存插槽，IMC0一共可连接6个内存插槽。
IMC1也一样啊，图中没有画全。两个IMC共可连接12个内存插槽，也就是共可连接12根内存条。
内存通道名字中既然有“通道”二字，它肯定像道路一样，连接着CPU和内存。也的确是这样，每个内存通道都有64位宽的总线（实际上比64位要宽，因为还要传输控制信号）。
CPU和内存间总吞吐量，是所有内存通道的总和。
除了“通道”的外，内存通道还有“控制”的作用。它要从物理地址中得到RANK号、BG号、BANK号、行号、列号，然后发出ACT命令（激活命令）、READ/WRITE命令，或Precharge、刷新等命令。
另有一个概念：内存时序。在开机内存上电时，CPU会从内存芯片中读取时序信息。时序是内存完成ACT命令（激活命令）、READ/WRITE命令等各种命令的时间，以内存Chip的频率为准，单位是周期。
因为内存通道和内存条的交互不是一次性的，并不是“我告诉你地址，你给我数据“，而是分阶段。在这个过程中，时序扮演着十分重要的角色。
经过前面8篇文章的讲述，我们已经知道内存包括RANK、BG、BANK、行、列等结构。内存通道要先依据规则，从物理地址中得到RANK号、BG号、BANK号、行号、列号。
这里我提一点，“内存通道要先依据规则"，这个规则，被称为编址规则。记住，它非常的重要，但为了避免主题分散，本篇不展开讲它。它会是内存系列后面几篇的“灵魂”之一。
Page，这个概念本来准备留到“实测”阶段、结合实测结果细说的，这里先提一下吧。
图2是8位宽BANK，它里面有8组Memory Array。
每个Memory Array下面都有一个Row Buffer，8个Memory Array的Row Buffer合起来，就是Page。
根据 JEDEC 标准，Memory Array的宽度是固定的，1024个bit。
列宽度是1024bit，也就是Memory Array中一行的大小是1024bit，乘以8，Bank的页大小8192bit，即页的大小为1024B（大写B，字节）。
我们不会只读写一个BANK，是按RANK，一次读写8个BANK（8位宽情况下），那么，还要再乘以个8，1024B*8，8192字节，这个也是页大小，是RANK层的页大小。
我在阅读一些文档时，有些文章说页是1024B，有些说是8192B，其实就是有些是针对一个BANK、有些是针对RANK。这一点我们要注意。
软件层并不直接动手装内存颗粒，对有些名词的使用，没有那么精准。
了解了页的概念，页命中（page hit）就简单，内存通道收到一次读，通过编址规则计算，从物理地址中分解出RANK号、BG号、BANK号、行号、列号，发现这次要读的数据正好和前一次是相同的RANK、BG、BANK、行，不同的列（都到内存通道层了，L1~L3 Cache，显然没有命中），这就是页命中了。
页命中后又能怎样呢？内存通道接下来又会干什么呢？本篇讲不完了，下一篇，我们继续详细描述CPU内存操作的具体步骤。
