一年好景君须记，正是橙黄橘绿时。
如图2，这种新一代技术叫 FinFET晶体管。具体技术咱们不用管，我们只需要知道，它长的和图1中的平面晶体管不一样。
它凭两大特性--更小的体积、更高的密度，让摩尔定律颤巍巍的又向前走了十几年。
FinFET晶体管完美解决了平面晶体管的漏电问题，让制程轻松下探到20纳米以下，并一路走到如今的5纳米、3纳米。
虽然FinFET在2010恰到好处的救场，但我们应当知道，FinFET晶体管技术的研究，远远早于2010年这个时间点。
FinFET第一次露面，是1999年，加州大学伯克利分校的研究团队首先发布了FinFET的研究成果。之后FinFET不断发展、不断成熟，终于在2010后，顺利接棒平面晶体管技术，成为芯片制程的主流技术。
回顾这一历程，在2010年众口一词的“摩尔定律”已死的大背景下，只需要关注最底层的基础技术，其实不难判断出，摩尔定律定顶多是半死，或者说：放缓。并不能说摩尔定律已死，因为FinFET已经解决平面晶体管所面临的漏电问题。
然后，时间来到了2025年底，15年后，FinFET晶体管已经是英雄末路，在制程工艺来到5纳米、3纳米时，漏电问题再一次突现。这一次，摩尔定律应该彻底死透了吧。
非也，非也。如果关注一下底层技术，有一种叫GAA晶体管的东东，已经默默发展了好些年。未来，它将接过FinFET的旗帜，为已经进入ICU的“摩尔定律”再续上一口气。
回到正题，国产芯片到底有多强？
你就看我们在FinFET、GAA方面的研究有多深，就可以了。这些基础的东西如果大幅落后美西方，芯片也必然大幅落后于美西方。所谓的"强"，不过是浮沙之上的高楼，过眼的云烟。
我们在FinFET、GAA方面，和美西方是遥遥领先、齐头并进，或是略显不足，还是大幅落后，你问AI吧。我这里不说了。
回到国产数据库，不要关注枝枝叶叶，要找到根本问题，抓住根本矛盾。
追更补充一下，我的读者有好多不是数据库领域中的，我打个比方。分布式数据库是根本问题、根本矛盾吗？
写个DEMO版分布式，相当于写个经典5级流水线CPU。而写个商业分布式数据库，自然相当于写个多级(10几级）流水线、超标量的CPU了。难度肯定是有的，但只能归入到主要矛盾，而不是根本矛盾。