第63期 内容预告
低维材料激子荧光
的第一性原理计算研究
低维材料激子的第一性原理计算研究有助于理解低维材料的光吸收和荧光过程，从而应用于单光子光源、发光器件或光电探测器等应用。
相比体材料，低维材料的激子效应格外显著，主导了其荧光过程。激子的第一性原理计算需要考虑电子电子相互作用和电子空穴相互作用，求解GW自相关能和BSE获得准确能带和激子束缚能。
本次报告通过第一性原理计算研究缺陷WS2的束缚激子，对比不同方法计算结果，将重点讲解BerkeleyGW计算激子的流程、收敛方法和优势。
内容章节
01
低维材料的激子和荧光简介
02
激子的第一性原理多体计算理论
03
VASP计算单层WS2的缺陷激子和挑战
04
BerkeleyGW的激子计算流程和收敛方法
05
BerkeleyGW计算单层WS2缺陷激子和荧光
06
结论和展望
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钱庆凯 博士
重庆大学副教授，重庆市高层次人才认定英才
清华大学物理系本科和硕士，香港科技大学电子及计算机工程系博士，美国宾夕法尼亚州立大学电机工程系博士后。主要从事光电子器件应用以及光电材料性能的第一性原理计算研究，在相关领域的国际期刊如ACS Nano、npj 2D Materials and Applications、EcoMat、Nanoscale、Physical Review B等共发表论文40余篇，获批美国专利2项，中国专利1项，并担任Nano Letters, Adv. Funct. Mater., ACS Appl. Mater. Interfaces, J. Phys. Chem. C, J. Phys.: Condens. Matter等多个国际知名期刊审稿人。
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图文/编辑：刘芳
审核：杨伟峰
审核发布：胡永利
