韩系存储双雄的“冷静抉择”：三星与SK海力士对DRAM增产保持谨慎

全球存储格局重塑下的谨慎增产策略

当前全球DRAM市场正经历由人工智能算力爆发驱动的“超级周期”，价格飙升与供给短缺成为行业关键词。作为占据全球DRAM产量超70%的韩国双雄——三星电子与SK海力士，却在增产问题上展现出罕见的谨慎态度。据科技媒体Wccftech援引韩媒Hankyung报道，两家企业明确表示，面对当前“内存荣景”，将聚焦长期获利能力而非盲目扩产，这一决策背后是对历史教训的深刻反思与对未来风险的审慎预判。  

DRAM供给短缺已从服务器、数据中心蔓延至消费电子领域，过去几周存储器价格飙涨至“几乎难以负担”的水平，且机构预测这一态势将贯穿2026年，缓解或需至2027年下半年。但三星与SK海力士并未因短期高利润而动心，反而强调“平衡客户需求与价格的资本支出策略”，力求将供给过剩风险降至最低。三星电子直言：“与其快速扩充设备，我们更需维持长期获利能力，避免因AI热潮退去重蹈覆辙。”  

这种谨慎源于对“周期魔咒”的警惕。新冠疫情期间及之后，DRAM行业曾陷入“需求不足—大幅减产—供给过剩—价格崩盘”的恶性循环，部分厂商一度入不敷出。SK海力士与三星均亲历过彼时的艰难：2022年SK海力士利润较2018年峰值衰退87%，三星存储器业务亦面临巨额亏损。如今，AI驱动的存储需求虽旺盛，但两家企业清醒认识到，若此时大举扩产，一旦AI热潮降温，过剩产能将再次压垮市场。正如业内人士分析：“超级周期的诱惑背后，是‘扩产即亏损’的历史阴影，韩系双雄的选择是用‘慢节奏’换‘稳增长’。”  

短期供给难改善，消费端需直面成本压力

三星与SK海力士的保守策略，直接导致DRAM短期供给难见改善。机构预测，未来一两个季度内，存储供给紧张态势将持续，内存与图形处理器（GPU）等产品供给受限问题或进一步加剧。对普通消费者而言，这意味着购买电脑、智能手机等电子产品时，不仅要承受更高的价格，还可能面临“一货难求”的尴尬。  

值得注意的是，为避免价格波动风险，制造商已开始签订“短期合约”，试图让报价更快反映市场增幅。这一操作虽能短期稳定利润，但也加剧了市场的不确定性——下游厂商与消费者需更频繁应对价格调整，供应链稳定性面临考验。  

对三星与SK海力士而言，“长期获利”的核心是“供需平衡的艺术”：既需满足AI、数据中心等新兴领域的高带宽存储（HBM）需求，又要避免过度挤压传统DRAM产能导致消费电子成本失控。正如SK海力士高管所言：“我们的目标不是赚‘快钱’，而是在AI时代站稳存储龙头地位，这需要克制短期扩产的冲动。”  

在这场DRAM超级周期中，韩系双雄的选择揭示了一个关键趋势：存储产业正从“规模扩张”转向“价值深耕”，谁能平衡短期利润与长期风险，谁就能在AI驱动的存储变局中掌握主动权。  

PC行业的定价突围战：存储暴涨下的成本博弈与格局演变，戴尔惠普联想均计划涨价

存储芯片涨价倒逼PC厂商重构成本逻辑

全球PC行业正经历一场由存储芯片暴涨引发的“定价地震”。随着DRAM与NAND闪存价格持续攀升，过去半年部分产品涨幅超100%，供应紧张型号甚至数次提价，PC厂商的利润率面临严峻考验。据智通财经APP调研，全球主要PC品牌已着手重新核算成本结构，戴尔、惠普、联想等头部厂商均计划通过提价转嫁压力，一场围绕“成本—价格—市场”的博弈悄然展开。  

存储器件作为PC“价格非线性”的关键成本项，其单季涨幅可直接侵蚀整机毛利率。以惠普为例，内存成本已占典型PC总成本的15%-18%；戴尔首席运营官Clarke坦言：“我们从未见过成本以如此速度上涨。”联想集团虽未公开宣布提价，但供应链人士透露“提价计划已基本确定”，其必要性在行业内已成共识。  

这场涨价潮的根源，在于AI服务器与数据中心几乎“吞噬”了高附加值存储（如HBM）的产能，传统PC依赖的DRAM、NAND产能被迫收缩。机构数据显示，AI驱动的存储需求使部分型号供应缺口扩大，现货市场价格飙升，PC厂商若维持原价，未来两季度利润率将承受“明显压力”。  

联想的“差异化提价”逻辑：商用客户撑起利润护城河

作为全球PC市占率第一的厂商，联想集团的提价策略尤为引人关注。与惠普、戴尔等依赖零售市场的品牌不同，联想超半数出货来自商业与企业客户（如跨国企业、金融机构、政府采购），这类客户对价格敏感度低，更关注设备生命周期、服务稳定性与整体拥有成本。  

“如果供应商能保证供货、稳定性与服务，价格调整是可以接受的。对企业来说，真正昂贵的是‘系统中断’，不是涨价。”一位参与跨国IT招标的人士指出。这种特性赋予联想更高的提价弹性——其品牌在政企与跨国客户中的稳定地位，使得议价能力远高于零售品牌。IDC数据显示，2025年前三季度联想商用PC出货量同比增15.5%，远超消费端的13%，进一步摊薄固定成本，为提价提供支撑。  

联想的供应链纵深布局亦是关键。其首席财务官郑孝明透露，当前零部件库存较往常高50%，通过“锁定合约”与长期排产合作，联想在存储涨价周期中实现了“成本锁定”，相比依赖现货采购的厂商，能以更稳定存货结构制定提价节奏。摩根士丹利报告指出，联想因商用客户占比高，抗成本冲击能力显著优于戴尔、惠普，2026财年PC毛利率预计仅微降，而戴尔、惠普或因存储涨价导致毛利率下降2-4个百分点。  

涨价周期重塑市场格局：头部厂商或成“受益者”

存储涨价看似是PC行业的“成本危机”，实则是“格局洗牌”的契机。历史经验表明，每轮存储涨价周期中，规模最大、供应链最深的厂商往往能通过“成本锁定”“提价弹性”与“客户粘性”扩大优势，市占率不降反升。  

消费端用户对价格敏感，5%-10%的涨幅可能导致换机周期延长；但企业客户因“切换成本高”（需重新校验安全策略、适配IT环境），对涨价的容忍度更高。联想等企业客户占比高的厂商，需求弹性显著低于零售品牌，涨价对其销量冲击有限。  

此外，涨价周期伴随产品结构性升级。AI PC渗透率提升使企业客户采购逻辑从“低价优先”转向“性能优先”，高附加值产品线更易获得预算倾斜。联想凭借全球化布局，可在不同地区错峰提价，分摊盈利压力，进一步巩固优势。  

正如半导体行业咨询机构负责人所言：“这一轮涨价压力最终会落在整机价格上，但头部厂商通过战略库存、规模采购与商用业务占比，将成本压力转化为利润工具，甚至成为份额扩张的窗口。”对联想而言，提价不仅是应对成本的被动举措，更是维护盈利健康度、强化行业地位的主动决策。  

三星FeFET 3D NAND突破：功耗降96%背后的存储低耗革命

顶级期刊发文：新型3D NAND破解高功耗瓶颈

三星电子研究团队近日在国际权威期刊《自然》发表突破性成果——基于铁电场效应晶体管（FeFET）的新型3D NAND架构，成功将能耗降低96%。这一研究由三星先进技术研究院（SAIT）主导，首次将铁电材料与氧化物半导体通道融合，通过近零通过电压作，彻底解决了现有3D NAND因堆叠层数增加导致的功耗飙升难题，为未来低功耗存储发展铺平道路。  

在传统3D NAND中，读取或编程单元时需对垂直字线堆叠施加“通过电压”（Vpass），层数越多，Vpass越高，功耗随之激增。三星团队创新性采用铪基铁电材料与氧化物半导体通道，利用铁电晶体管的宽记忆窗口与负阈值电压特性，实现多级作无需依赖高Vpass，从源头降低功耗。研究人员在平面阵列中验证了单单元五位作能力，并在四层垂直串模拟中，以25纳米中央栅极尺寸（与当前商业设备相当），构建了286层至1024层的3D NAND模型。  

能耗降幅惊人，商业化仍需跨越多重关卡

经建模测算，基于铁电设计的286层设备，在程序与读取能量上较同高度传统充电陷阱堆栈降低94%；1024层时降幅超96%——核心原因在于低通过电压大幅减少了充电泵的工作量（充电泵用于生成读写所需高压）。实验还验证了保持与循环性能：平面铁电单元支持五级编程，室温下QLC等效使用接近千次循环，高温（85°C）下PLC级可维持数百次循环。  

尽管成果显著，三星强调该研究属“基础研究”，距离商业化仍需突破多重技术瓶颈：一是需开发程序抑制方案与负电压生成技术，避免高密度存储下的干扰；二是氧化物通道在高温应力下的可靠性需进一步验证；三是3D阵列的集成工艺（如层间对准、材料兼容性）尚未成熟。目前三星无产品化计划，研究旨在为“超越当前充电陷阱路线图”的下一代低功耗NAND奠定基础。  

低功耗存储的战略意义：AI时代的“隐形刚需”

在AI与数据中心爆发式增长的背景下，存储功耗已成为制约算力提升的关键瓶颈。AI服务器需同时处理海量数据与复杂模型，存储系统功耗占比可达30%以上，低功耗NAND的突破将直接提升数据中心能效比，降低运营成本。  

三星此次研究的深层价值，在于为“层数竞赛”按下“减速键”——传统3D NAND通过堆叠层数提升容量，但功耗同步飙升，而FeFET架构以“低功耗+高容量”打破这一矛盾，使未来1TB以上大容量存储设备兼具高性能与低能耗。机构预测，若该技术商业化，AI数据中心的存储能耗或降低40%以上，助力全球“双碳”目标。  

对存储产业而言，三星的突破标志着“材料创新”取代“堆叠竞赛”成为技术主线，未来厂商竞争焦点或从“层数多少”转向“功耗多低”。尽管商业化尚需时日，但《自然》的背书已为低功耗存储指明方向——这场“静默的革命”，或将重塑AI时代的存储格局。  

南亚科10月“单月胜一季”：AI复苏驱动存储厂业绩爆发

营收净利双创新高，AI基建成核心引擎

中国台湾DRAM厂商南亚科近日交出亮眼成绩单：10月自结归属母公司净利20.39亿元新台币，超越第三季整季的15.63亿元，每股纯益0.66元；营收攀高至79.08亿元，创4年多来新高，环比增18.66%，同比暴增262.37%。这一“单月赚赢一季”的表现，标志着南亚科在AI驱动的存储复苏中率先突围。  

南亚科的业绩爆发，核心动力来自AI基础建设的强劲需求。随着全球云端服务供应商（CSP）加速AI服务器部署，高带宽存储器（HBM）与通用DRAM需求同步攀升，产品价格持续扬升。南亚科第三季已终结连11季亏损，10月获利进一步释放，印证了“AI基建需求持续延烧”的市场判断。公司管理层表示：“AI基础建设是存储器市场复苏的主引擎，这一需求具备长期性与确定性，明年营运有望正常获利。”  

产品结构优化+价格红利，盈利拐点确立

除需求端拉动外，南亚科的产品结构优化与价格红利亦是盈利爆发的关键。目前其超50%产能仍生产DDR4，而主要供应商缩减DDR4产出转向HBM，导致DDR4供给缺口达20%，价格季增40%。南亚科抓住这一机遇，实现“价量齐扬”——第三季DRAM平均售价季增40%，销售量季增20%，毛利率从第二季的-20.6%跃升至18.5%。  

值得关注的是，南亚科在DDR5领域的布局亦稳步推进：10纳米级第二代制程16Gb DDR5-5600交运量已达10%，为未来承接AI服务器高阶需求储备技术。总经理李培瑛指出：“DDR4缺口仍大，且需求消退速度慢于预期；DDR5则在AI与HPC市场具备长期增长空间，双产品策略将支撑公司持续获利。”  

机构分析认为，南亚科的业绩拐点并非偶然：AI基建的“结构性需求”叠加DDR4供给收缩的“周期性红利”，使其率先走出行业低谷。随着2026年AI服务器出货量持续增长，南亚科有望从“扭亏”迈向“高增长”，成为中国台湾存储产业复苏的标志性案例。  

内存报价涨势延续至2026下半年：台股三档指标股或领涨族群

供需四重逻辑支撑，涨价周期超预期

中国台湾地区股市内存族群股价虽经历修正，但机构对基本面的看好热度不减。台湾金控旗下投顾指出，DRAM、NAND持续供不应求，报价上升循环将延续至2026年下半年，核心逻辑有四：一是CSP服务器订单高于预期，挤压其他应用供应；二是HBM供不应求且位元消耗大，进一步挤占标准DRAM产能；三是AI服务器对BOM成本与规格调整的弹性较高，需求韧性强；四是原厂产能扩张有限，聚焦制程升级而非扩产，供给增量不足。  

以DDR4为例，原厂EOL（生命周期终结）进度不变，但长鑫存储加快DDR5供给，2026年底DDR4月产能将降至1万片（原预期2万片），供需比或仅88%-91%，价格全年维持高档。机构预测，2026年DRAM与NAND报价上升周期将延续至年底，较过往“二至三季”的短期波动显著拉长，主因是AI驱动的“强劲需求”替代“补库存”成为核心推力（类似2012-2014年智能机、2016-2018年云端投入的长周期增长）。  

华邦电、南亚科、群联：三大指标股各展锋芒

在涨价周期中，台湾机构点名台湾半导体厂华邦电、南亚科、群联为族群领头羊。摩根士丹利将华邦电列为投资首选，推测合理股价88元，看好其利基型DRAM价格上扬与产品组合优化；金控投顾则上调南亚科目标价至180元，预计明第一季DDR4供不应求与DDR5涨价共振，单位售价季增25%，EPS或达19.5元；群联作为NAND控制芯片与模组龙头，受益于CSP上调AI服务器储存需求（从250-300EB升至400-450EB），QLC/TLC eSSD报价持续向上，其大量NAND存货将转化为业绩弹性。  

机构分析认为，这三档个股各有优势：华邦电在利基型存储领域技术领先，南亚科坐享DDR4缺口红利，群联则卡位AI存储升级的“卖水人”角色。随着涨价周期延续，三者有望成为内存族群重返多头的“三驾马车”，引领板块估值修复。  

内存“十年大缺”真相：AI重构存储产业逻辑

从“循环波动”到“结构断层”，缺货成长期命题

AI推论应用的爆发，正将内存产业推向“十年大缺”的新周期。群联执行长潘健成率先喊出“内存一缺10年，明年挑战千亿营收”，威刚董事长陈立白更直言“DRAM、NAND双缺持续升温，缺货深度与时间创20年最严重”。这场缺货并非短期炒作，而是AI驱动下存储产业结构的根本性断层——需求从消费电子转向AI基建，供给从“扩产博弈”转向“技术壁垒”，缺货或成长期命题。  

机构分析指出，NAND Flash需求爆发源于双重动力：一是AI模型指数级成长，内存储存量成瓶颈，CSP因HDD供应不足转单NAND；二是产业资本支出保守，2026年重心转向制程升级与hybrid-bonding（而非扩产），供应位元增幅有限。华南投顾数据显示，AI NAND缺口今年达2%，2029年将扩至8%，市场规模或达280亿美元（占整体NAND 20%）。  

HBM则成为AI时代的“黄金矿”。全球HBM产能几乎被SK海力士、三星、美光“完全预订”，厂商纷纷将DDR3/DDR4产能转向HBM以获取高毛利，进一步加剧传统存储供给紧张。这种“转产效应”使DRAM、NAND供给从“总量不足”变为“结构错配”，缺货深度远超以往。  

原厂扩产保守+二手市场火热，缺货刚性凸显

面对缺货，原厂扩产却异常保守。中国台湾内存厂威刚董事长陈立白透露：“去韩国大厂出再多钱也没货，最多派业务陪吃饭敷衍。”群联潘健成更在内部会议喊出“明年营收千亿、5年3000亿”的目标，底气正是“缺货常态化”。  

缺货的刚性甚至点燃了二手市场：回收旧笔记本电脑内存成热土，DIY市场中“少装一条内存店家退钱”成常态。这一现象折射出“有钱难买”的供给困境——AI基建的“结构性需求”叠加原厂“技术优先于规模”的策略，使存储供给短期内难以匹配，缺货或持续至2030年。  

对产业而言，“十年大缺”意味着存储从“周期品”转向“战略资源”，谁能掌握HBM、低功耗NAND等高端技术，谁就能在AI时代掌握话语权。而对消费者与企业而言，适应“高存储成本”或成常态，存储产业的“黄金时代”正伴随着“缺货时代”一同到来。

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