半导体存储器市场信息汇总
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海内外信息解读汇总：
02海内外消息汇总
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消息面
创见紧急通知外泄：NAND闪存严重缺货，10月起零出货
全球存储器市场正经历一场前所未有的供应危机。中国台湾知名存储器模组厂商创见近日向客户发出紧急通知，披露自2025年10月以来，未收到任何来自三星、西部数据（SanDisk）等主要原厂的新NAND闪存芯片出货。通知指出，由于大型数据中心与超大规模运算客户对高容量企业级固态硬盘（SSD）需求激增，所有主流芯片制造商均优先保障AI服务器订单，导致消费类NAND产品（包括SSD、SD卡、U盘等）严重断供。
据通知内容，仅在上周，创见采购成本就飙升50%至100%，且价格仍在“异常快速”上涨。公司预计此轮短缺至少将持续3至5个月。尽管创见正积极与供应商协调争取额外配额，但第四季度交期已大幅延长，产品售价将显著高于第三季度。这一情况印证了机构此前的判断：受AI基础设施建设拉动，NAND闪存合约价在11月已普遍上涨20%至60%以上，并将持续至12月。
台湾另一存储器大厂威刚董事长陈立白亦坦言，当前缺货是近20年来最严峻的一次，“客户实际到货量仅约下单量的三成，有钱也买不到”，他本人“一半时间都在道歉”。创见董事长束崇万则强调，这是36年来首次出现DRAM与NAND同步暴涨的局面，其中NAND涨势才刚刚开始。随着云端服务商持续扩大资本支出，消费电子供应链正被系统性边缘化，普通用户未来数月或将面临存储产品全面涨价与缺货的双重困境。
南亚科11月营收首破百亿，创历史新高
受益于DRAM市场强劲复苏，中国台湾动态随机存取存储器（DRAM）制造商南亚科于2025年12月4日公布其11月营收达101.68亿元新台币，不仅首次突破百亿元大关，更创下公司成立以来单月营收新高。相较10月增长28.57%，同比增幅高达364.89%。2025年前11个月累计营收达545.69亿元，同比增长70.92%，为近四年同期最佳表现。
南亚科表示，业绩大幅成长主要得益于DDR4产品“价量齐扬”。在全球人工智能基础设施建设热潮带动下，服务器与数据中心对DRAM的需求持续攀升，推动合约价格稳步上扬。公司预期，AI相关投资热度将在2026年延续，有望实现全年正常获利。值得注意的是，尽管HBM等高端产品由国际大厂主导，但南亚科凭借成熟制程产能，在标准型DRAM市场仍占据重要地位，成为本轮存储器超级周期中的直接受益者。
三星将供应英伟达逾半SOCAMM2内存模组
在错失2024年大部分高利润AI内存订单后，三星电子正加速夺回市场主导权。据韩国媒体报道，三星已确认将于2026年向英伟达供应其所需的第二代小型外形压缩附加内存模组（SOCAMM2）超过一半的份额，对应约100亿GB的出货量。此举标志着三星在1c纳米（第五代10纳米级）DRAM良率与性能上取得关键突破，成功挑战美光在此领域的先发优势。
SOCAMM2是一种专为AI服务器CPU设计的高效能内存模组，采用压缩连接式结构，整合多颗LPDDR5X芯片，传输速率高达9,600 MT/s，优于前代8,533 MT/s。它主要用于英伟达即将推出的Vera CPU，负责AI推理中的数据搬运任务。为满足100亿GB SOCAMM2的生产需求，三星需每月投入约3至4万片晶圆产能，约占其DRAM总产能的5%。剩余订单将由SK海力士与美光分食。随着AI服务器对高密度、低功耗、可维护内存架构的需求上升，SOCAMM被视为继HBM之后的又一关键技术演进方向。
三星24Gb GDDR7 DRAM荣获2025年韩国技术大奖总统奖
三星电子宣布，其采用12纳米级（1b节点）工艺开发的24Gb（3GB）GDDR7 DRAM荣获“2025年韩国技术大奖”总统奖，彰显其对国家半导体产业竞争力的重大贡献。该产品支持每秒最高42.5吉比特（Gbps）传输速率，采用PAM3信号技术，每个时钟周期可传输1.5比特数据，较传统二进制方式快50%。同时集成时钟控制、电源双重化与电源门控设计，显著降低功耗并提升高温运行稳定性。
GDDR7虽传统用于显卡，但近年因AI推理对“高性价比内存”的需求激增而备受关注。英伟达2024年9月发布的AI推理专用GPU“Rubin CPX”即搭载128GB GDDR7。KB证券分析指出，三星目前为英伟达GDDR7的独家供应商，平泽产线产能正扩大一倍以上。随着AI训练转向降本增效，GDDR7凭借优于HBM的成本与能效优势，有望在推理市场占据关键地位。三星亦正开发支持CXL 3.1标准的新型内存模块，进一步拓展其在AI数据中心的布局。
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