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图1. 结构无序对共轭高分子掺杂工程的影响与pTAM结构设计示意图。
使用掺杂剂pTAM对多类共轭高分子进行掺杂，均可实现40%到240%的性能提升，并使掺杂高分子的热电功率因子较N-DMBI掺杂体系提升超20倍，证明了pTAM可作为高性能n型掺杂剂。这项工作说明了掺杂高分子微观有序性对电学性能的显著影响，提出了主侧链两亲性掺杂剂设计策略，推动了共轭高分子掺杂工程的深入理解和性能提升。
图2. 掺杂剂-共轭高分子相对位置与取向分布。
该研究得到了国家自然科学基金、北京市自然科学基金、北京分子科学国家研究中心和北京大学高性能计算平台的资助与支持。
原文链接
https://doi.org/10.1016/j.chempr.2025.102755
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