文章来源：半导体与物理
原文作者：jjfly686
DOSE：曝光剂量
曝光剂量，简单来说就是光刻胶接收到的总光能量，它等于光照强度与曝光时间的乘积。这个看似简单的参数，却是光刻工艺中最基础的能量控制单元。
当光线透过掩模版照射在光刻胶上时，光刻胶中的光敏成分会发生化学反应。剂量不足时，光刻胶反应不充分，就像胶片曝光不足，无法形成清晰的图案；剂量过度时，光线发生衍射和散射，导致图案失真变形，如同过度曝光的照片。
在实际操作中，工程师通过“剂量能量矩阵”实验来寻找最佳曝光点。他们在同一片晶圆上使用不同的曝光剂量，然后测量形成的图形尺寸，找到能够精确复制目标尺寸的那个“甜蜜点”。这个点的剂量既不能多也不能少，必须刚刚好。
DOF：焦深的立体
如果把光刻想象成在纳米尺度上进行摄影，那么焦深就是镜头能够保持清晰成像的上下范围。在理想情况下，晶圆表面应该完全平整地位于最佳焦平面上。但现实中，晶圆本身存在微米级的翘曲，设备也有机械振动，使得表面各点与镜头的距离时刻变化。
焦深定义了能够容忍这种高度变化而不影响成像质量的范围。较大的焦深意味着工艺窗口更宽，对设备和工艺波动的适应性更强。当特征尺寸不断缩小时，焦深也随之急剧减小——这成为光刻技术面临的主要挑战之一。
现代光刻机通过多重技术来扩展有效焦深，比如采用特殊的照明方式、使用化学放大光刻胶、或者实施多重图案化技术。这些创新使得在极其有限的物理焦深内，仍能实现可靠的图形传递。
CD：关键尺寸
关键尺寸是光刻工艺最终要控制的核心指标，它指的是芯片上最细微的线条宽度或间隔距离。
CD的精确控制直接关系到芯片的性能和功耗。晶体管栅极的CD稍微偏差，就可能导致阈值电压发生明显变化，进而影响整个芯片的运行频率和功耗。因此，CD均匀性成为衡量光刻工艺水平的关键标尺。
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