国产DRAM巨头已取得长足进步，最近展示了性能接近韩国存储巨头的先进DRAM。
在近日于北京举办的 “IC China 2025” 展会上，CXMT展示了包括DDR5、LPDDR5X在内的七款先进 DRAM 单颗产品，以及基于这些芯片的模组产品，中国DRAM厂商首次正式展出DDR5产品。
CXMT表示，其DDR5的最高速度为8,000 Mb/s，单颗容量24Gb，与三星电子、SK 海力士的最新产品接近。
业内认为，CXMT此次展示的DRAM性能值得关注。其DDR5速度比上一代提升25%（6400 → 8000 Mbps）。
韩媒报道，评估存储厂商能力的维度包括技术路线图、良率、量产能力。从此次展品看，业界认为CXMT至少在技术路线图层面已追上韩国存储巨头。
一位半导体业内人士表示：“这类产品已经可以与最新CPU搭配，用于最新服务器。”
五年强力封锁下中国DRAM与NAND加速崛起
尽管美国对中国实施强力半导体技术与设备封锁已超过5年，中国在DRAM与NAND闪存市场的影响力却快速扩大，被认为超出此前预期。
报道认为，中国政府的政策支持，以及凭借庞大内需市场从韩国、日本和中国台湾吸收人才，关键原因。
这一点也体现在市场占有率上。根据《日经新闻》和Counterpoint数据：CXMT在今年第三季度DRAM市占率达8%，位列全球第四。YMTC在NAND市场占有率达到13%，表现尤为突出。
CXMT明年起预计将正式量产DDR5和 LPDDR5X，供应最新服务器、PC与智能手机。
目前CXMT的DRAM产能已经达到SK海力士的五成多。因此分析认为，CXMT全面进入DDR5与LPDDR5X市场，将削弱当前“半导体超级周期”的力度。行业认为：“CXMT的新DRAM会成为全球供应链的‘新选项’。”
这也可能冲击韩国厂商在中国的销售。去年三星和SK海力士在中国的销售额为87.3万亿韩元，占两家公司总营收的23.7%。
CXMT方面表示：“新产品将成为减少对海外企业依赖的替代方案。”
目前普遍认为，中韩在通用DRAM技术上的差距已缩小至一年以内。差距之所以还存在，主要原因是美国封锁EUV光刻机等DRAM微缩关键设备。
3D DRAM将为中国带来重大机会
下一阶段技术变量是3D DRAM，预计最早在2030年前后进入市场。
3D DRAM是将存储单元“垂直堆叠”的架构，被视为突破DRAM微缩极限的下一代技术。在3D DRAM时代中，EUV需求将大幅降低，这对中国企业是利好。
行业专家表示：“如果5年后商用的制程不再需要EUV，那么当前的技术差距可能瞬间消失。”
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