M9 级覆铜板并不是单一材料，而是一套“超低损耗（Ultra-Low-Loss）”解决方案，核心目标是把介电常数 Dk 和介质损耗因子 Df 压到极致，以满足 50 GHz 以上、单通道 224 Gbps 的信号速率要求。其关键组成与性能指标如下：
1. 石英纤维布（Q 布/三代 LOW-Dk 布）
Dk≈3.0，Df＜0.001，硬度极高，可让 PCB 在 78 层、板厚>5 mm 时仍保持尺寸稳定，但钻孔寿命只有传统玻纤布的 1/5。
2. 树脂体系
◦ 碳氢树脂（PCH）：Df 0.0005–0.001，成本低于 PTFE，耐热 280 ℃，是 M9 主板、OAM 加速卡的主流选择。
◦ 苊烯树脂（EX）：国内美联新材量产，15 GHz 下 Dk=2.54、Df=0.0006，玻璃化温度 223 ℃，150 ℃ 零衰减，可直接替代进口 PTFE。
◦ 部分高端板会混用 BMI、PTFE 做外层，进一步把 Df 压到 0.0003 量级。
3. 铜箔
全面采用 HVLP4（粗糙度 Rz≤1.5 µm），2026 年后部分背板将升级到 HVLP5（Rz≤1.0 µm），导体损耗再降 15%。
4. 填料
球形硅微粉用量比 M7 翻倍，占树脂体积 40% 以上，用来降低 CTE（11–13 ppm/℃）并提高刚性，同时保持 Dk 增量<0.1。
5. 典型规格
◦ Dk：2.8–3.2（@10 GHz）
◦ Df：≤0.0005–0.0008（@10 GHz）
◦ 层数：26–78 层通孔板 / 7 阶 HDI
◦ 板厚：2.4–8 mm，正交背板单机价值 20 万美元。
6. 产业链瓶颈
Q 布全球仅日东纺、AGY、中材科技等 4–5 家能供，2025 年四季度已出现 30% 缺口；HVLP4 铜箔三井、台虹、德福正在转产，2026 年底才能大规模释放。
简言之，M9 级覆铜板通过“石英布+超低损树脂+HVLP4 铜箔+高球硅填料”的组合，把 Dk/Df 压到接近 PTFE 水平，同时保持可加工性与高耐热性，是英伟达 Rubin、1.6 T 交换机等 AI 平台量产的先决条件。
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