芯片制造中，光刻是核心工艺，而“显影”步骤更是决定精度的关键。但光刻胶在显影液里究竟发生了什么，一直是个看不见的“黑匣子”，工业界只能依靠反复试错来优化工艺，导致精密芯片的良率难以提升。
而近期，北京大学的研究团队，首次引入冷冻电子断层扫描技术，为溶液里的光刻胶分子留下了第一张分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”。
困扰业界的缺陷根源终于浮出水面，光刻胶分子“抱团”形成的纳米颗粒，竟然会落在气液界面，导致本应分开的电路连接在一起。
基于这一颠覆性发现，团队提出了两种简单易行的解决方案，不需要设备改造就能上生产线：适当提高烘烤温度和优化显影液流动。实验结果非常喜人：12英寸晶圆上的缺陷数量降低了超过99%！
这项突破，不仅为攻克7纳米以下先进芯片的良率难题提供了关键钥匙，其研究方法更能广泛应用于其他工艺环节，为整个中国半导体产业的升级加速。
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