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光刻机进口数量同比降 10.49%，但平均单价翻倍至 1916 万美元； -
ASML 的 50 台光刻机单价高达5338 万美元，创历史新高，而中国已连续两季度占其全球销售额的 42%； -
CVD、刻蚀设备等核心品类量价齐升，单价均处于历史高位。
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逻辑芯片：GAAFET 等新技术导入，刻蚀步骤从 5 道增至 9 道，设备需求激增； -
存储芯片：3D NAND 突破 200 层，刻蚀设备用量占比升至 48%，带动高端设备采购； -
国内晶圆厂加速 28nm 以下先进制程布局，对 ASML 高端 DUV 光刻机需求迫切。
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DUV 光刻机管制节点从 7nm 下调至 14nm，ASML 主力机型全部纳入许可管理； -
审批周期拉长至 90 天，配套检测设备、计算光刻软件 “一刀切” 管制；
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上海微电子：90nm 光刻机量产，28nm 浸没式机型研发推进，在工博会上首次公开 EUV 光刻机技术参数； -
产业链配套：合肥欣奕华的紫外 LED 光源、华卓精科的双工作台、中科科美的电子束检测装备均实现技术突破，部分已通过客户测试； -
替代路径：国内企业转向刻蚀、薄膜沉积等多元核心工艺，降低对单一光刻设备的依赖。
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进口结构从 “依赖高端” 转向 “精准补位”，聚焦国产暂时无法替代的核心设备； -
国产设备从 “成熟制程” 向 “先进工艺” 突破，大基金三期重点支持关键零部件研发； -
全球供应链重构，中国作为最大设备消费市场的话语权持续提升。