禁带宽度怎么算?紫外光谱数据这样处理!
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在光催化领域中,禁带宽度的数值是衡量光催化剂性能强弱的一个重要指标,导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度。
禁带宽度决定了半导体对光的响应能力,宽禁带宽度的半导体对光响应较弱,而窄禁带宽度的半导体对光响应更强。因此,要探究材料的光学性能,绕不开对其禁带宽度的研究。
在下文中,将会以直接带隙材料为例子,带着大家一步一步的通过紫外分光光度计得到的数据,计算出材料的禁带宽度。
1. 首先,需要了解Tacu公式:(ahv)2=A(hv-Eg)其中a为吸光系数,h为普朗克常数,v为频率,A为常数,Eg为半导体基带宽度。同时吸光系数a与紫外光谱的纵坐标吸光度abs成正比,为了简化计算,通常会直接将吸光度代入到Tacu公式中,并不会影响公式的结果,从而得到光子能量hv和(abs*hv)2。
2. 将紫外光谱数据以及计算后的结果导入Origin,并填入相应的命名。
3. 全选数据后,在上方“绘图”中选择基础2D图中的折线图,就会得到一个初步的数据图。
4. 双击纵坐标轴,开始美化刻度,刻度线标签,标题,轴线和刻度线的参数(字体和字体大小,横纵坐标范围和增量大小以及轴线粗细等等)。
5. 最关键的一步,换算出来的数据图的直线部分做切线,并延伸到纵坐标为0处,确认横坐标的数值,即为材料的禁带宽度。
6. 如果需要把紫外光谱图和计算后的数据放在一起的话,Origin右侧的工具栏中有个“合并”,可以实现这个目的。
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