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太强了!中国科技公司,连发2篇Nature正刊,2年第6篇!
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太强了!中国科技公司,连发2篇Nature正刊,2年第6篇!
高分子科学前沿
2025-11-13
16
导读:硅电池效率27.81%,逼近理论极限!在全球能源转型的浪潮中,晶体硅太阳能电池仍是光伏产业的主力军,其高稳定性、成熟工艺与成本优势使其长期占据市场主导地位。
硅电池效率27.81%,逼近理论极限!
在全球能源转型的浪潮中,晶体硅太阳能电池
仍是光伏产业
的主力军,其高稳定性、成熟工艺与成本优势使其长期占据市场主导地位。然而,随着实验室效率不断逼近理论极限,产业界面临新的瓶颈——填充因子(Fill Factor, FF)难以突破。这一关键指标决定了电池的能量转换效率,却长期受到复合损失与接触电阻的双重制约。尽管业内提出多种模型来描述复合与电阻的关系,但尚缺乏从物理层面系统揭示载流子损耗机制的理论框架。如何在保持优异表面钝化的同时,降低接触损耗、实现高效电荷输运,成为硅基光伏迈向极限性能的最后一道“天花板”。
针对这一核心难题,
隆
基绿能
中央研究院
李振国博士
、
徐希翔博士
、
Liang Fang
、
Chaowei
Xue
联合兰州大学
贺德衍
教
授
、中山大学
高平奇
教授
提出了创新性的解决方案:
开发出一种
混合型交指背
接触(Hybrid Interdigitated Back Contact, HIBC)硅太阳能电池。该设计首次将全表面钝化与激光调控隧穿接触相结合,实现了电学与光学性能的双优化。
在这一体系下,
团队通过高低温工艺融合、边缘原位钝化(
iPET
)与激光
诱导晶化等
多项创新手段,显著抑制了复合损失,使电池效率达到27.81%、填充因子高达87.55%,相当于理论极限的95%。
这一成果不仅刷新了硅基太阳能电池的世界纪录,也揭示了填充因子与载流子复合机制之间的物理联系,为高效率光伏器件的设计提供了理论依据和工业化路径。
相关成果以“
Silicon solar cells with hybrid back contacts
”为题发表在
《Nature》
上,
Genshun
Wang, Mingzhe Yu, Hua Wu,
Yunpeng
Li
为共同第一作者
。
值得一提的是,这已是
隆基绿能自
去年以来发表的第
6
篇《Nature》了
,
上
一篇发表在两天前。
从结构设计出发:混合
背接触
的关键创新
HIBC
电池的结构创新在于“
背面全整合、
正负极交指化”。
如(图1a)所示,研究团队在硅片背面交替布置n型与p型接触区,并采用全表面钝化层抑制载流子复合。通过结合高温(>800°C)扩散和低温(<240°C)沉积工艺,形成高质量隧穿接触层。
团队还引入了名为
iPET
的边缘原位钝化技术(图1c、d),这一创新有效抑制了硅片边缘的缺陷复合,使得高电阻率晶圆不再在低注入水平下退化。
模拟结果显示,
iPET
可将边缘复合电流显著降低,提升准填充因子(
pFF
)并最终带来超过0.5%的效率提升。与此同时,为兼顾导电性与钝化性,研究者将磷掺杂浓度降低十倍,并在
n型多晶硅(n-poly-Si)层上沉积ITO导电层以增强横向传输(图1b)。最终,样品实现了J0仅0.89
fA
cm
⁻
²
的极低表面复合,填充因子达到86.77%,展现出极佳的载流子输运平衡。
图1
:
HIBC电池结构与性能提升机制
激光诱导晶化:纳米尺度调控接触性能
然而,电池性能的进一步提升受到p
型接触层
导电性限制。为此,
团队开发了激光
诱导晶化工艺
,在纳米尺度上实现对非晶硅层(a-Si)的定域改性(图2a)。他们利用532 nm纳秒脉冲激光精准
照射于硅金字塔
表面,使得a-Si在金字塔顶端局部结晶为纳米晶硅(
nc
-Si),晶粒尺寸约4–20 nm(图2b)
。模拟结果显示,激光能量主要集中于金字塔尖端区域,诱导
高温晶化同时
保留界面钝化层(图2c)。这种“局部晶化”巧妙地在导电性与钝化性之间取得平衡:
晶
化层显著
降低接触电阻ρc(降至原来的十分之一),同时保持整体复合速率在可控范围内
。电流路径模拟(图2d)显示,激光处理后载流子
在晶化区域
形成“高效通道”,使电荷更容易跨越c-Si/
i
-a-Si/p-
nc
-Si/ITO界面,从而提升整体电流密度。最终,HIBC电池的接触区域电阻下降一个数量级,而光电转换效率显著提高——这意味着工业级硅片也能在无需牺牲钝化的情况下,实现高效载流子传输。
图2
:
激光
诱导晶化的
界面优化效果
功率损耗解析:谁在偷走电池效率
为了进一步理解效率提升背后的物理规律,研究团队利用Quokka3仿真对能量损耗进行定量分析(图3)。结果揭示,
在整块电池中,复合损失占总功率损耗的约2/3,其中体相复合(主要为Auger复合)贡献约74%。这意味着,当表面复合被有效抑制后,体相复合成为主导限制因素
。与此同时,表面复合损耗(
0.25
mW
cm
⁻
²
)
仍较体缺陷
高约50%,说明进一步提升钝化
层质量
仍是关键方向。研究还发现,p型接触区的电阻性损耗是n型的1.5倍,这也印证了激光处理在改善p端性能中的重要性。
通过分解各区域的电流与功率贡献,团队发现电池的总体损耗主要来源于三类:表面复合、载流子传输阻力与体相复合。在
iPET
与激光调控共同作用下,这三类损耗被系统性削弱,为27.81%效率的实现奠定基础。
图3
:
功率损耗分解分析
理论突破:理想因子揭示极限路径
高效电池的实现不仅在于工艺,更源于对物理机制的深入理解。为解释填充因子FF与复合行为的关系,
研究团队提出了理想因子(m)与载流子浓度的定量模型。如(图4c)所示,理想因子可通过载流子复合类型(SRH、辐射或Auger)精确计算:当表面钝化良好时,m ≈ 1,对应于SRH复合受抑制;当进入体相区域时,m趋向2/3,代表以Auger复合为主。
在实际测试中,研究者测得局部理想因子
mlocal
≈ 1.10,而当覆盖边缘区域时m甚至低于1(图4d),这表明载流子损耗主要受体相复合主导,系统钝化几近完美。这一发现不仅从理论上揭示了填充因子的上限来源,更为光伏器件的物理建模提供了可量化的参数体系。通过调节掺杂浓度与界面质量,理想因子m有望在不同结构中趋近于极限值,从而实现更高的光电转换效率。
图4
:
高效率硅电池的物理模型与理想因子分析
小结
本研究首次在工业可行的硅太阳能电池中实现了27.81%认证效率与87.55%填充因子,逼近
晶体硅光伏
的理论极限。从
iPET
边缘钝化到激光诱导晶化,从全表面钝化到理想因子建模,隆基-中山大学团队系统地打通了实验、模拟与理论三大层面,为高效率光
伏提供
了完整的科学路线图。
展望未来,研究者计划进一步优化p型接触区导电层与界面结构,并探索激光工艺在大面积量产中的集成方案。这一“混合背接触+纳米调控”策略,有望成为下一代高效硅电池的主流架构,为实现全球光
伏应用
提供核心支撑。
【声明】内容源于网络
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