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通富微电:先进封装技术有哪些突破?

通富微电:先进封装技术有哪些突破? 跨境Emily
2025-10-07
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导读:通富微电先进封装技术的主要突破,尽管技术领先,公司仍面临客户集中(AMD贡献50%+营收)、毛利率承压(2025H1约18%-20%)等问题。此外,台积电CoWoS产能垄断高端市场,国内企业需持续突破

通富微电先进封装技术的主要突破

1. 2.5D/3D Chiplet技术

通富微电是国内首批实现2.5D/3D Chiplet技术量产的封测企业之一。其开发的16层芯片堆叠封装产品良率达98%以上,较行业平均水平提升5个百分点,芯片间传输距离缩短30%,显著提升了AI算力芯片的性能。公司还建成自主VISionS技术平台,融合2.5D/3D/MCM-Chiplet等工艺,支持超大尺寸封装(100×100mm以上)。

2. 大尺寸FCBGA封装

量产突破:大尺寸FCBGA(倒装芯片球栅格阵列)已进入量产阶段,解决了产品翘曲、散热等行业难题,可满足服务器及AI PC的高端需求。

工程进展:超大尺寸FCBGA完成预研并进入工程考核,采用铜基板灌胶技术使热阻降低40%,已获汽车电子头部供应商认证。

3. 光电合封(CPO)技术

在光通信领域,公司CPO技术取得突破性进展,相关产品通过初步可靠性测试,计划2025年下半年启动AMD MI400系列的CPO量产准备,2026年实现规模化供货。

4. 系统级封装(SiP)与差异化工艺

Corner fill工艺:将芯片热循环寿命提升至3000次以上,优于行业2500次标准,适用于数据中心和自动驾驶芯片。

玻璃芯基板封装:传输损耗控制在0.3dB/cm以下,打破日企垄断,成为800G光模块封装的关键技术。

商业化落地与行业地位

核心客户:作为AMD第一大封测供应商(占其订单80%),深度参与MI300/MI400系列研发,2025年H1通富超威苏州贡献净利润5.45亿元。

产能布局:全球九大生产基地(含马来西亚槟城),2025年计划投资60亿元扩产,先进封装产能占比已达45%。

行业对比:在2.5D/3D封装领域与长电科技、华天科技形成“三强”格局,但存储封装(如HBM)仍弱于长电。

风险与挑战

尽管技术领先,公司仍面临客户集中(AMD贡献50%+营收)、毛利率承压(2025H1约18%-20%)等问题。此外,台积电CoWoS产能垄断高端市场,国内企业需持续突破工艺瓶颈。

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