近期，韩媒报道指出，三星电子半导体采购部门预测明年EUV空白掩膜版用量将大幅增长，已向日本龙头供应商豪雅（HOYA）提出增供请求。然而，豪雅表示因其他半导体制造商需求同步激增，难以完全满足三星的增量要求。
业界分析认为，这一供需博弈揭示了先进制程与封装扩张中易被忽视的关键环节：芯片制造速度不仅受限于光刻机，更取决于位于流程起点的核心材料能否同步供给。
EUV空白掩膜版：光刻的“底片”，良率的上限
空白掩膜版是EUV光刻掩膜版的基础基材，虽未写入电路图案，但已具备低热膨胀基板、约40对钼/硅反射膜及吸收层与保护层等底层结构。鉴于EUV光波长仅13.5纳米，极易被材料吸收，必须依靠多层膜结构反射成像。因此，空白掩膜版的平整度、膜层均匀性和缺陷密度直接决定后续光掩膜版的精度，从源头制约芯片良率上限。
数据显示，今年三星EUV空白掩膜版消耗量约5500片，预计未来三年年均增长约25%。增长动力主要来自两方面：DRAM端，从1b工艺的4-5片增至1d工艺（2027年下半年量产）的约10片；晶圆代工端，从4纳米的15-16片增至2纳米的25-27片。制程越先进，单片晶圆所需掩膜版层数越高，使得该材料需求呈现刚性增长特征。
供给方面，豪雅作为核心供应商，其投资约420亿日元的新加坡新厂产能需至2028财年才能释放，无法缓解2027年的供给缺口。豪雅在2026财年二季度财报会议中坦言，仅靠新厂仍难匹配市场整体新增需求。
半导体材料体系的结构性约束：不止于掩膜版
空白掩膜版的紧张并非孤例。半导体上游材料体系具有“低占比、高权重”特征：虽然在芯片总成本中占比不高，但对纯度、缺陷控制和批次稳定性要求极高。一旦供给波动，下游晶圆厂调节空间有限。高端光刻胶、12英寸硅片、先进特气与前驱体、CMP抛光材料等均具此属性。
这种结构性约束在六氟化钨（WF₆）和ABF载板两个品类上体现尤为明显。
六氟化钨：原料供给偏紧推升价格
六氟化钨用于沉积芯片内部金属钨薄膜，填充接触孔与通孔。随着3D NAND层数增加、HBM普及及逻辑制程向2纳米推进，通孔数量激增，对WF₆用量和纯度要求提高。目前供给紧张主要源于上游高纯钨粉供给偏紧，导致部分厂商原料可得性受限，产品价格明显上涨。相较于价格波动，晶圆厂更担忧供应不稳影响产线运行。
ABF载板：单一供应商产能节奏制约
ABF载板的瓶颈在于单一供应商的产能节奏。日本味之素开发的ABF增层膜在全球市场占主导地位，是高端CPU、GPU和AI加速器封装基板的主要绝缘材料。目前味之素处于满负荷运行状态，新一轮扩产需至2028年启动，后续工厂投产时间更晚。受此影响，载板交期明显拉长，高阶订单排期较长，产能已被提前预定。业界认为，供给偏紧将持续至上游客制化新产能落地，短期需求降温影响有限。
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