点击蓝字
关注我们
2026年11月12日，由广东工业大学牵头起草的标准T/CASAS 070—202X《GaN HEMT功率器件动态阈值电压测试方法 脉冲I-V法》、由大连理工大学牵头起草的标准T/CASAS 074—202X《氮化镓双向开关功率器件四象限动态导通电阻测试方法》以及由深圳平湖实验室牵头起草的标准T/CASAS 079—202X《p-GaN HEMT功率器件短路试验方法》已完成征求意见稿的编制，该项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成，起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据联盟标准化工作管理办法，2025年11月12日起开始征求意见，截止日期2026年12月12日。
T/CASAS 070—202X《GaN HEMT功率器件动态阈值电压测试方法 脉冲I-V法》描述了GaN功率器件动态阈值电压的测试方法，包括阈值电压测试、测试条件、测试装置、测试程序、数据记录与处理、试验报告。
本文件适用于GaN功率电子器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估以及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
a) p-GaN栅HEMT；
b) 上述的晶圆级产品以及封装级产品。
T/CASAS 074—202X《氮化镓双向开关功率器件四象限动态导通电阻测试方法》描述了氮化镓双向开关功率器件（GaN BDS）的四象限动态导通电阻测试方法。
本文件仅适用于双栅氮化镓双向开关功率器件。
本文件适用于进行GaN BDS的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估。
T/CASAS 79—202X《p-GaN HEMT功率器件短路试验方法》描述了p-GaN HEMT功率器件开通型、正向导通型及反向导通型短路试验的原理、条件、装置、样品、步骤、数据处理和结果判定，并规定了试验报告的内容。给出的试验方法包括规定脉宽试验、步进应力试验和单次测至失效试验
本文件适用于p-GaN HEMT封装级分立功率器件的短路特性表征和短路耐受能力验证，可用于器件研发、产品规格验证及应用适用性评估。
征求意见稿及编制说明已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。
