豪雅拒增供三星：高端石英基板，成 2nm 扩产最棘手卡点

三星电子向日本豪雅申请追加 EUV 空白掩膜版供应遭拒，表面是掩膜版产能紧张，本质是高端半导体石英基板供给能力跟不上先进制程扩张节奏。作为 EUV 空白掩膜版的核心基材，超高纯石英基板是半导体石英材料领域的技术制高点，其纯度、平整度、缺陷控制水平直接决定掩膜版性能上限。

先进制程持续迭代，拉动高端石英基板需求快速攀升

制程每进阶一代，单颗芯片所需 EUV 光掩模数量便大幅增长，对应的石英基板消耗量同步抬升。三星内部测算显示，今年其 EUV 空白掩膜版用量约 5500 片，未来三年将保持年均 25% 的增速。其中 DRAM 从 1b 工艺到 1d 工艺，单芯片 EUV 光掩模用量从 4-5 片增至约 10 片；晶圆代工领域 2nm 工艺单芯片需 25-27 片 EUV 光掩模，是 4nm 工艺的近 1.7 倍。用量增长的背后，是高端石英基板需求的持续扩容，也对石英材料的纯度、耐极紫外性能提出了更高要求。

技术壁垒叠加产能滞后，高端石英基板短期难破供给困局

全球 EUV 空白掩膜石英基板市场高度垄断，豪雅与 AGC 两家日本企业占据几乎全部市场份额，核心壁垒就在于超高纯石英材料制备与精密加工工艺。面对爆发式增长的需求，头部厂商扩产节奏十分缓慢：豪雅投资 420 亿日元的新加坡新厂要到 2028 财年才能投产，2027 年全球基本无新增 EUV 石英基板产能释放。即便三星正在推进韩国本土厂商 S&S TECH 的产品验证，但其在颗粒物控制等石英材料关键指标上仍有差距，距离量产导入尚需时日，供给紧张格局短期内难以扭转。

国产石英材料分步突围：DUV 基板率先落地，上游原料持续攻关

当前国内企业尚未突破 EUV 级石英基板技术，产业攻关主要集中在两大方向：一是 DUV 空白掩膜石英基板，国内企业已通过海外技术整合掌握 14-90nm ArF/KrF 基板技术，上海生产基地预计 2027 年上半年建成投产，逐步实现中高端掩膜石英基板的国产替代；二是上游高纯石英原料与基础石英材料，多家企业持续提升纯度与加工精度，为掩膜基板、石英器件等下游产品提供原料支撑。