三星与SK海力士竞相抢购EUV光刻机，锁定先进DRAM产能
据报道，三星电子与SK海力士正展开激烈的极紫外（EUV）光刻机采购竞争，双方投入规模均在10万亿至20万亿韩元区间。鉴于阿斯麦（ASML）已明确2027–2028年EUV设备存在供给缺口，能否成功锁定交付排期，已成为两家企业扩大先进DRAM产能的关键核心。
交付周期拉长，资本开支预期上行
两家企业计划从明年起分批接收阿斯麦的EUV设备。SK海力士此前披露，将采购价值约11.95万亿韩元的EUV设备，交付截止日为2027年底。受全球供给紧张影响，核心设备交付周期已延长至原先最长周期的两倍。为此，两家企业正考虑提前下单，并视情况追加订单，这可能导致后续资本开支进一步上升。
三星加码平泽基地，匹配投资节奏
三星电子同步增加订单以匹配其平泽基地的投资节奏。去年11月，三星公布了为期五年、总额450万亿韩元的本土投资方案，其中包括目标于2028年投产的平泽P5产线。据悉，单座P5晶圆厂的投资规模超过60万亿韩元。行业预期，随着P5一期洁净室工程于明年上半年完工，设备将陆续进场，目前三星已为该产线下单光刻设备。
EUV技术助力先进DRAM工艺突破
EUV光刻机利用13.5纳米波长光源刻蚀电路，能够有效减少多重图形化工序，从而提升精度与良率。对于10nm级第六代（1c）等先进DRAM而言，随着电路间距持续缩小，采用EUV的工艺层数不断增加。集邦咨询（TrendForce）指出，SK海力士计划在1c DRAM制造中超过5层工艺使用EUV，较上一代增加两层。
阿斯麦产能紧缺，存储客户占比显著
阿斯麦在三季报中表示，在当前规划下，2027–2028年的EUV供给无法满足客户需求。今年EUV出货量预计约65台，较去年增长近50%；即便2027年和2028年产能分别提升30%，供给依旧不足。核心产品涨价的影响将于明年逐步体现，并在2028年充分显现。数据显示，今年三季度，存储客户已占阿斯麦整机销售额的46%。
下一代DRAM量产工艺趋于稳定
依托EUV设备，下一代DRAM量产工艺已取得一定程度的稳定。三星早在2020年便出货业内首款采用EUV的DRAM模组，目前是存储行业拥有EUV设备数量最多的厂商。SK海力士于2021年在利川M16工厂落地首台EUV设备，并于去年9月引入业内首台高数值孔径（High-NA）EUV量产机台。三星也于9月宣布扩大与阿斯麦合作，计划2028年将High-NA EUV导入DRAM量产。
后端封装设备订单饱满，景气度与前段绑定
与此同时，后端设备厂商订单储备已排满两至三年。业内消息显示，韩美半导体（HANMI Semiconductor）和安靠（Amkor）的订单储备基本到位，两家企业正在扩产AI数据中心所需的关键工艺设备，如热压键合机（TC bonder）。业内人士表示，AI数据中心芯片不仅依赖先进前段工艺，为实现大容量和高性能，对单颗芯片进行多维度封装互联的后端工序价值持续提升。随着生态成型，后端厂商的景气周期已与前端大厂深度绑定。