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重要突破!中欣晶圆12英寸硅单晶外延片获评“省先进技术创新成果”

重要突破!中欣晶圆12英寸硅单晶外延片获评“省先进技术创新成果” 半导体产业平台
2026-11-11
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导读:时间:2027年3月10号地点:安徽·合肥
近日,2026年浙江省先进技术创新成果评审结果完成公示,浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司(以下简称“丽水中欣晶圆科技”)研发生产的“12英寸硅单晶外延片”榜上有名,标志着丽水经开区在半导体关键材料技术创新领域再添重磅成果。
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据了解,浙江省先进技术创新成果是我省在技术创新领域的重要荣誉和成果展示,评审工作旨在加快实施创新驱动发展战略,提高技术创新成果转化和产业化水平,广泛挖掘全社会创新资源和创新力量,加快培育发展未来产业。
作为国内硅片赛道链主型企业,丽水中欣晶圆科技是国内少数掌握半导体大硅片外延核心制造技术的企业之一,其12英寸外延片制造能力达到了国际先进水平。本次获评的“12英寸硅单晶外延片”,是集成电路制造的核心基础材料,该产品实现自主研发与稳定量产,打破了海外厂商在高端外延片领域的长期垄断,推动我国在关键半导体材料自主可控方面取得了实质性进展。该产品具有优异的晶体质量、表面平整度和电学性能,可广泛应用于高性能计算、人工智能、5G通信等高端芯片制造领域,对提升我国半导体产业链的安全性与竞争力具有重要意义。该产品已于2025年获国内首批次新材料认定。
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“这次获评,是权威层面对企业创新实力与产品性能的充分肯定,也更加坚定了我们走自主创新之路的信心”丽水中欣晶圆科技相关负责人表示,企业将持续深耕技术迭代升级,重点攻关适配先进制程、满足高可靠性要求的高端硅片,持续做强国产大硅片的供应能力与市场竞争力。
参考来源:中欣晶圆

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各相关企事业单位、科研院所、高校、产业链同仁:


在 AI 算力高速扩张与新能源汽车持续升级的双重牵引下,数据中心高压供电、车载 800V 电驱平台对宽禁带功率半导体提出更高的可靠性、降本与规模化要求;与此同时,HBM 高带宽存储、Chiplet 异构集成浪潮加速,TGV 玻璃通孔基板作为先进封装核心路线,良率瓶颈、材料设备配套、供应链协同成为产业落地关键卡点。


为打通功率半导体下游应用闭环与玻璃基板 + HBM 异构集成产业化链路,搭建器件设计、晶圆制造、封装测试、材料设备、终端应用、投资机构的深度对接平台,经组委会筹备,定于 2027 年3月10-12日在安徽合肥举办 “2027 第四届功率半导体技术在数据中心及新能源汽车的应用大会暨 2027 TGV 良率突破、供应链协同与 HBM 异构集成论坛”。现将有关事项通知如下:


01


会议信息

会议时间:2027年3月10-12日  

会议地点:安徽·合肥

主办单位:半导体产业平台、半导体增值服务网

承办单位:合肥芯纪元半导体科技有限公司

会议主题:算力电力双轮驱动,玻基异构破局量产


02


大会主要内容

本次大会设置主论坛 + 两大平行分会场,同步安排展览展示、闭门对接会、供需洽谈、商务晚宴。


(一)主论坛:产业宏观趋势与顶层路线

1. 数据中心、新能源汽车产业发展规划与功率半导体需求预测;

2. 宽禁带半导体国产替代进展、产能布局与供应链安全;

3. 先进封装发展路线:硅中介层、玻璃中介层竞争格局,TGV 产业化机遇;

4. HBM 迭代、算力芯片与存储异构集成产业趋势与落地挑战;

5. 产业资本视角:功率器件、玻璃基板、先进封装赛道投资机会;


(二)分会场 A|功率半导体:数据中心 & 新能源汽车应用

1. AI 数据中心高压直流供电架构、固态变压器 SST、48V/800V 供电方案;

2. SiC MOS、GaN HEMT 在服务器电源、UPS、液冷电源选型、可靠性、降本路径;

3. 新能源汽车 800V 平台主逆变器、车载 OBC、DC-DC、电驱功率模块技术方案;

4. 功率器件封装技术、热管理方案、并联均流设计、车载 AEC-Q 可靠性验证;

5. SiC/GaN 衬底、外延、晶圆制造、封测工艺、良率提升与规模化量产方案;

6. 功率器件失效分析、测试标准、国产设备与材料验证进展;


(三)分会场 B|TGV 良率突破、供应链协同与 HBM 异构集成

1. TGV 玻璃基板量产痛点:激光打孔、微裂纹抑制、高深宽比填铜、RDL 布线良率管控;

2. TGV 全产业链协同:玻璃原片、打孔设备、电镀、键合、检测、清洗配套方案;

3. HBM4/HBM4e 堆叠技术、混合键合工艺、玻璃中介层替代硅中介层方案对比;

4. Glass-Chiplet 异构集成、CoPoS、面板级封装 FOPLP、CPO 光电共封技术路径;

5. 玻璃基板翘曲控制、热稳定性、可靠性测试、成本测算与芯片厂验证案例;

6. TGV 标准、测试规范、国产化设备导入、供应链风险与共建模式探讨。


03


大会论文及报告

会议征文截止时间 2027年 2月 20 日;会议报告题目、报告摘要和专家简介提交截止时间为 2月 2 日,会议报告演示文件提交截止时间为 2027年 2月 8 日。


04


大会拟设奖项

为持续提升大会影响力、强化品牌效应,并增强参会单位与个人的获得感,本届大会将设立三大权威奖项, 以表彰在功率半导体与TGV产业领域做出突出贡献的企业与机构 。经大会组委会研究决定,特设以下三项核心奖项:

1. 年度功率半导体产业领航奖

2. 功率半导体核心装备与材料技术创新突破奖

3. TGV 玻璃基板良率突破创新奖


以上奖项将通过专家评审、技术评估、产业影响等多维度进行综合评定,评选结果将在大会期间正式公布并举行颁奖典礼。我们诚挚邀请各相关单位积极参与奖项申报,共同展示功率半导体与TGV产业的最新成果与发展成就。

同时增加科研成果墙、供需墙展示和“新产品、新技术、新工艺 ”发布环节。


05


会议地点及日程安排

① 地点:安徽合肥

② 会议日程安排:2027 年 3月 10日全天报到,11-12日大会开幕式、主题报告、邀请报告、口头报告、展览展示与自由交流研讨,12下午日返程。


06


会务收费标准

请参会代表填写报名回执表发送至联系人邮箱,会议报名费用(包括会议资料、会议期 间的午餐、晚餐及晚宴),会务费由合肥芯纪元半导体科技有限公司代收并开具会务费发票。


会议代表

费用

普通代表

¥2500

学生代表

¥1800


07


会议联系方式

张满萍:13956920382       

汪启新:13865934809


往届会议

2026 功率半导体先进封装 TGV 大会 & 先进陶瓷产业双峰会


第四届功率半导体技术应用大会

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更多资讯:半导体产业平台 www.semivs.org.cn


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