存储大厂，重金“扫货”EUV光刻机

光刻机巨头ASML近期预警极紫外（EUV）光刻设备面临供应短缺，全球头部存储厂商正积极锁定产能。在此背景下，三星电子投资动作激进，旨在通过提前布局EUV设备，在DRAM产能扩张与技术迭代的关键窗口期抢占先机。

三星斥巨资抢购EUV光刻机

据韩媒报道，存储大厂竞相向ASML订购EUV设备，其中三星电子的投资规模上限或达20万亿韩元（约合人民币992亿元）。这一巨额投入背后，是EUV光刻技术与先进DRAM制造之间日益紧密的绑定关系。

DRAM核心存储单元由晶体管和电容构成，其微缩路径长期依赖光刻精度提升。当制程推进至1β及以下节点，电路间距缩至十几纳米级别，传统DUV（深紫外）光刻需依赖多重曝光（如SAQP）技术。然而，每增加一次曝光都会累积叠对误差，在字线与位线间距逼近物理极限时，继续依赖DUV将导致良率无法满足量产要求。

相比之下，EUV拥有13.5纳米波长，比DUV精细约一个量级，能在单次曝光中定义更细微图形，从根本上规避了多重曝光带来的误差与工序复杂度。随着DRAM存储单元电容深宽比突破80:1，传统光刻已难以精确界定柱状结构，引入EUV不仅是提升密度的手段，更是维持先进节点可制造性的前提。

平泽工厂扩建与High-NA技术布局

在产能布局方面，三星正全力推进平泽P4工厂升级，计划增设HBM4单晶DRAM生产线。同时，平泽P5工厂扩建工程稳步推进，首座晶圆厂预计2028年投产。据悉，三星已提前为P5工厂订购光刻设备，待2027年上半年第一阶段洁净室完工后，设备即可迅速进场。

除扩大产能外，三星还计划利用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术建立下一代DRAM的技术代差。High-NA EUV将数值孔径从0.33提升至0.55，显著增强分辨率。三星计划于2027年量产1D DRAM，2028年迈入10nm以下的0a DRAM小规模生产阶段，并预计在0a阶段引入High-NA EUV。为平衡昂贵设备投资与量产良率，目前三星正评估仅在关键的一到两层工艺中使用该技术。

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