韩国内存芯片制造商SK海力士正加速推进1c DRAM量产，以支撑HBM4E及AI服务器内存业务，强化与三星电子、美光的竞争壁垒。行业数据显示，1c DRAM在SK海力士第二季度产量中占比约13%，预计第四季度将提升至34%，并于明年第一季度全面超越旧款1b工艺。
产能布局与技术进展
SK海力士在二季度财报电话会上确认，1c DRAM已于当季启动供应。该节点不仅是HBM4E的核心制程，也将作为DDR5产品的关键工艺节点，其战略意义已延伸至高带宽内存之外。目前，HBM4E已进入客户样品测试阶段。
HBM4E送样时间表
在下一代产品交付节奏上，SK海力士计划于2026年6月至7月向主要客户提供HBM4E样品；相比之下，三星此前公布的送样时间为2026年5月29日。