荷兰光刻机巨头ASML透露，三星计划于2028年利用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机实现内存芯片的大规模量产；台积电则预计从2030年起采用该设备进行大规模制造。目前，英特尔已率先接收了单台售价约4亿美元的高数值孔径EUV系统。
推进12英寸光掩模标准化
为应对人工智能驱动的先进芯片需求增长，ASML联合三星、台积电及英特尔共同推动光掩模尺寸升级，目标是从现有的6英寸标准转向12英寸。根据规划，ASML与台积电拟于2031年前建成12英寸掩模测试线，并力争在2033年实现基于高数值孔径工具的规模化生产。此外，SK海力士正考虑加入该项合作计划。值得注意的是，台积电目前贡献了ASML约16%的营收份额。