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中国长江存储准备在北京建设 NAND 闪存研发线:据消息人士透露

中国长江存储准备在北京建设 NAND 闪存研发线:据消息人士透露 AI电商圈
2026-09-18
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导读:据三位消息人士称,中国长江存储(ChangXin Memory Technologies)正计划在新建的北京工厂建立一条研发线,以进入 NAND 闪存市场。

据消息人士透露,长江存储(YMTC)计划在北京新建工厂设立研发线,正式进军NAND闪存市场。此举标志着其业务将从DRAM扩展至NAND领域,在手机、PC及数据中心芯片市场与三星、SK海力士、美光及兆易创新等厂商展开竞争。

目前该产线的具体投产时间及是否由试产转为大规模量产尚不明确。据悉,长江存储已与部分客户就NAND闪存芯片供应进行洽谈,其中包括一家拟将产品应用于AI系统及超级计算机的初创企业。

此次扩产正值全球内存供应趋紧之际。受AI服务器需求激增影响,市场供需矛盾凸显;同时,美国对华半导体设备出口限制也可能对后续产能扩张构成挑战。

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