此前ASML向外界发出预警，EUV设备将出现供应短缺。这一背景下，存储大厂积极锁定EUV光刻机设备交付，以持续扩大DRAM产能。
近期，韩媒报道存储大厂竞相订购ASML的极紫外（EUV）光刻设备，投资上限或达到20万亿韩元（约合人民币992亿元）。
三星电子是其中的代表，该公司正在积极拓展其先进DRAM产能，在平泽P4工厂增设HBM4单晶DRAM生产线。同时，公司也在推进P5工厂的建设，该工厂的首座晶圆厂预计将于2028年投产。
据报道，三星电子已为P5工厂订购了光刻设备，预计在第一阶段洁净室于2027年上半年完工后，设备即可投入使用。
除此之外，三星还准备采用更先进的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术进行下一代DRAM的生产。
据悉，三星电子计划于2027年开始量产1D DRAM，随后于2028年开始小规模生产10nm以下的0a DRAM。高数值孔径极紫外光刻技术预计将在0a阶段引入，最初用于部分层，三星正在考虑仅在一到两层中使用，以平衡成本和良率。