BTG70013A-1ESW是英飞凌PROFE WireGuard系列汽车级智能功率高侧开关。内部集成VDMOS作为主功率输出管，用来承担车载负载的大电流通断任务。
芯片简介
（图源：datasheet）
平台君发现该芯片的VDMOS器件面积占整个芯片面积的80%，下图是整个芯片的Poly层图像，除黑色方框区域外，都是VNDMOS。
BTG70013A-1ESW芯片Poly层图像
（图源：IPBrain平台）
那为什么要使用这么多VDMOS器件呢？我们先来了解下VDMOS。
VDMOS 全称是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（Vertical Double-diffused MOSFET），是一种垂直结构的功率器件。其核心特性，就是电流垂直穿过硅衬底，源极与栅极在芯片正面，漏极在芯片背面。
正是因为该特性可以把芯片面积充分利用起来，在有限的芯片尺寸下实现高耐压与大电流能力，广泛应用在开关电源、电机驱动、锂电池保护、逆变器等中高压功率场景。
这是VDMOS的结构图：
结构图
（图源：网络）
Tips：
由结构图可知，N⁺硅衬底，作为器件的漏极；N⁻外延层是漂移区，器件的耐压能力就是由它的浓度决定的。
而且VDMOS并不是单个管子，而是由多个、结构完全相同的VDMOS管并联组成。每一个都具备独立的源区、栅极、漂移区，都可以单独形成导电通道。
下图是BTG70013A-1ESW芯片中一个VNDMOS的Poly层图像，它由19个VNDMOS管组成，红框为一个VNDMOS管。
VNDMOS器件Poly层图像
（图源：IPBrain平台）
还有数量更多的，下图是两个VNDMOS，分别由155个管子和1299个管子并联组成。
VNDMOS器件Poly层图像
（图源：IPBrain平台）
大量VDMOS管并联之后，有效沟道宽度大幅提升，等效导通电阻显著下降，器件可以承载更大的连续电流；并联结构还使电流和热量均匀分散，提升可靠性。
同时BTG70013A-1ESW通过VDMOS器件并联实现1.5mΩ极低导通电阻、承载26.6A持续大电流的要求，同时阵列器件的面积匹配性，实现 31800:1 的高精度电流镜像采样，支撑 I²t 线束保护与过流诊断。
VNDMOS4内部电路图
（图源：IPBrain平台）
这是该芯片的功率输出通路，是一个多个模块的集合，里面有保护电路和控制电路，开关驱动电路等，其中红色方框为VNDMOS，作为高边驱动功率开关管，也是这个芯片的核心器件。
VDMOS凭借垂直导电结构与双扩散工艺，解决了早期平面MOS难以兼顾高压、大电流的痛点，历经数十年依旧是高压功率场景的核心器件。