GModel 比 EVS 快 3.42 倍

同一套数据，同一套参数，同一台机器，快 3.42 倍。

37.76 万个单元，数据、参数、机器都相同，都采用克里金插值，GModel 2.0 一轮 35.9 秒，EVS 2 分 03 秒，高阻体体积差 0.04%，低阻体差 1.39%。变差函数 GModel 自动拟合，不用手填变程。单轮少等 87 秒。网格到千万级，或一次要插好几个属性时，差距甚至能扩大到好几小时。

 ▍ 01　测试口径

地形点 6,323 个，物探点 9,066 个，平面 636 米 × 815 米。两边网格都是 377,600 个单元。EVS 中的网格参数是 81 × 81 × 60，实际是各边的网格节点数，节点比单元多一，实际单元 80 × 80 × 59，和 GModel 一样。

插值都用克里金。物探点 9,066 个未超过 10,000 的样品上限，全部参加计算，最近邻搜索未触发，垂向各向异性比 4。

只有变差函数没对齐，操作上也就这一步不同。GModel 内置自动拟合，变程不用手填。EVS 手填了球状模型，变程 448.4，Sill 0.2856，Nugget 0。后面两个体积差，有一部分是从这里来的。

 ▍ 02　速度对比

GModel 2.0 整轮建模 35.90 秒，EVS 122.64 秒，快 3.42 倍。摊到一个单元，0.095 毫秒对 0.325 毫秒。差距在插值内核和任务调度，界面操作和文件读写占得很少。

GModel 2.0 整轮建模 00:00:35.90

EVS 2026.1.35 整轮建模 00:02:02.64

一轮节省 87 秒，二十轮参数试算累计约半小时。上述结果基于 37.76 万单元，规模扩大后需重新估算。

▍ 03　质量校验

通过体积对比。大于 1500 的高阻背景体，GModel 1,286,766.47 立方米，EVS 1,286,242.58 立方米，差 0.04%。小于 10 的低阻体，209,612.11 对 212,569.45，差 1.39%。

高阻背景占了模型绝大部分体积。外轮廓、底界面起伏、顶界面形态，两边一致。背景里的低阻孔洞更吃插值细节，个数、大小和相对位置也大体重合。

高阻背景体（电导率 > 1500），左 GModel 1,286,766.47 立方米，右 EVS 1,286,242.58 立方米

低阻体（电导率 < 10），左 GModel 209,612.11 立方米，右 EVS 212,569.45 立方米*

低阻体差 1.39%，比高阻背景大一个量级。差在体积边界划在哪儿，整体形态没有走样。

 ▍ 04　规模越大，优势越明显

3.42 倍是 37.76 万单元上量出来的。工程里多等的是分钟。网格变大，或者一次要出的属性变多，这个差会跟着变大。

①千万级网格　37.76 万单元时一轮差 87 秒。单元数上到 1,000 万，按单单元耗时外推，GModel 约 16 分钟，EVS 约 54 分钟，一轮差 38 分钟。

②多属性插值　一次建模常要出几个属性物。按四个属性算，插值工作量是单属性的四倍，时间差同步放大四倍。

③两者叠加　千万级网格加四个属性，GModel 约 63 分钟，EVS 约 3.6 小时，一轮差 2.6 小时。

上面是按单单元耗时线性外推，千万级网格和多属性这次都没有实测。

对过的就这三行。

同一套数据，同一套克里金参数。GModel 变差函数自动拟合，不用手填变程。这一轮 35.9 秒，EVS 2 分 03 秒，高阻体体积差 0.04%。

网格越大，省得越多。37.76 万单元差 87 秒，1,000 万单元差 38 分钟。

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原创声明：本文中所示界面与功能均为 GModel 实际运行效果，版权归南京库仑软件技术有限公司所有，转载请注明出处。