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美光(Micron)DDR5内存MT60B2G8HB-56B:G的DQ收发模块设计

美光(Micron)DDR5内存MT60B2G8HB-56B:G的DQ收发模块设计 IPBrain产品课堂
2026-11-06
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导读:感谢阅读产品课堂第109期DDR5是新一代高速DRAM内存芯片,为DDR4的迭代升级产品。相比DDR4,DD
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感谢阅读产品课堂第109期




DDR5是新一代高速DRAM内存芯片,为DDR4的迭代升级产品。相比DDR4,DDR5 在架构、可靠性、带宽、扩展性全面升级,是目前新一代智能硬件、PC、服务器的主流内存方案。



 MT60B2G8HB-56B:G

MT60B2G8HB-56B:G是一款16Gb高速双倍数据速率同步动态随机存取存储器,2Gx8组织架构,5600MT/s数据速率,16n-bit预取架构,内部配置8个Bank group,每个Bank group都有4个Bank,共计32个Bank。


Shape1

MT60B2G8HB-56B:G芯片简介

(图源:芯片规格书)


接下来,我们来看看MT60B2G8HB-56B:G的功能框图。


Shape2

MT60B2G8HB-56B:G功能框图

(图源:芯片规格书)


从功能框图可以看出,MT60B2G8HB-56B:G主要由存储通路、数据通路、DLL模块以及命令地址通路组成。


555.png

MT60B2G8HB-56B:G局部概貌图

(图源:IPBrain平台)



DQ Path


DQ Path数据通路包含输入通路和输出通路,数据端口DQ为双向端口;


输入通路结构为:输入数据与基准电压比较,产生数字信号,经过DFE(Decision Feedback Equalizer,判决反馈均衡器)模块后,串并转换转为多位数据;


输出通路结构为:多位数据转为1位数据,输出驱动,输出驱动还会包含可调节的上拉下拉部分。


下图是DQ通路的示意图。


Shape3

DQ通路示意图(图源:网络)


相应地,在MT60B2G8HB-56B:G中,数据通路如下图所示。红色框和箭头为输出通路,绿色框和箭头为输入通路。


Shape4

MT60B2G8HB-56B:G DQ模块功能框图

(图源:芯片规格书)


从上图可以看到,MT60B2G8HB-56B芯片输入通路包含一个DFE模块,这是一个4-tap(4抽头)的DFE。


它是DDR5内存中用于消除码间干扰(ISI)的核心均衡技术,也是DDR5相比DDR4实现传输速率大幅跃升的关键支撑,在JEDEC规范中被明确要求作为DRAM接收器的标配功能。


Shape5

4-Way Interleave 4-Tap DFE示意图

(图源:JESD79-5B Standard)


关于DFE模块,平台君在之前的文章中就对它做过介绍,可点击链接查看《海力士(SKhynix)DDR5内存H5CG46MEBDX015的DFE模块设计》。


MT60B2G8HB-56B:G芯片中DQ收发模块,采用16n-bit的预取架构设计。下图是MT60B2G8HB-56B:G芯片的其中一个DQ收发通道的电路图。


Shape6

一个DQ收发通道的电路图

(图源:IPBrain平台)


其中红框标注的DFE模块和DESER8To16模块的电路图如下图所示。


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DFE电路图(图源:IPBrain平台)


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DESER8To16电路图(图源:IPBrain平台)



 结语


目前主流DDR5内存已普遍实现6400MT/s的传输速率,2025~2026年8000MT/s将成为新的主流标准,部分高端超频平台甚至可突破12000MT/s,这些性能提升都高度依赖DFE对高速信号的均衡保障。






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