英诺赛科在美被判专利侵权，宜普公司两项专利确认有效
石家庄海外知识产权保护预警
当地时间7月5日，美国国际贸易委员会（ITC）就宜普公司（EPC）针对英诺赛科提起的“337调查”申请做出了初步裁定。
ITC裁定宜普公司的两项关键专利（美国专利号No. 8,350,294，No. 8,404,508）有效，并认定英诺赛科珠海公司及其美国子公司侵犯了其中一项专利（美国专利号No. 8,350,294），该项专利广泛应用于多个行业。委员会的最终裁定预计在2024年11月5日发布。这可能导致今年下半年英诺赛科的相关产品进入美国市场遭遇禁售。
此前，英诺赛科曾向中国国家知识产权局提出申诉，主张宜普公司包括氮化镓在内的两项核心技术专利无效，但国知局确认了宜普公司在中国的两项对应专利（ 中国专利号ZL201080015425.X，ZL201080015388.2）的有效性。
对此裁决，宜普公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow博士表示：“国际贸易委员会裁定英诺赛科未经授权使用我们的专利技术，现在中美两国的监管机构都确认了我们专利的有效性，我们处于优势地位。”
就在今年3月，德国芯片巨头英飞凌也在美国加州法院向英诺赛科提起氮化镓专利侵权诉讼。针对这项起诉，英诺赛科当时回应称“毫无根据”。
值得关注的是，上个月，英诺赛科正式向香港联交所提交A1招股书，计划赴港上市，目前尚不清楚该案件对英诺赛科IPO的影响。
功率半导体行业内通常将半导体芯片分为四大类：逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、以及光电子器件/传感器/分立器件。功率半导体隶属于模拟芯片，用于电能转换和传输以及电路控制。美国国会的研究报告显示，整个通用模拟芯片中占据最大市场份额的就是功率半导体。而下一代功率半导体，是在碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体上制造的，较传统硅基设备具备耐高温、耐高压、更高效可靠等优越性能。
氮化镓功率半导体被广泛应用于消费电子快充设备、航空、卫星、高密度人工智能服务器、无人机、机器人、自动驾驶汽车、电信设备、医疗电子以及其他创新科技领域。（文章来源：EIN Presswire）
