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已售罄!多家存储原厂披露长单进展

已售罄!多家存储原厂披露长单进展 全球半导体观察
2026-11-03
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AI服务器带来的存储需求持续释放,长周期供货协议正在重塑存储供给格局。近期,铠侠、SK海力士、长鑫科技、三星、美光等主流存储原厂在业绩沟通中密集披露远期产能安排。其中,铠侠宣布2027年NAND产能全部售罄,三星锁定2027年HBM产能,多家厂商的服务器存储长协订单取得显著进展。

铠侠:2027年NAND产能全部售罄,数据中心需求强劲

铠侠在2026财年第二财季(7月至9月)财报电话会议上确认,公司2027年全部NAND闪存芯片产能已通过长期供货协议被下游客户提前锁定。这也是铠侠首次官宣次年全年产能售罄。此外,其2028年超过50%的产能已获得客户确定性采购承诺,并正与客户洽谈2029年至2030年的供货安排。

财报数据显示,铠侠当季营收达2.48万亿日元,同比增长453.2%,环比增长40.3%,单季营收规模已超越2025财年全年水平。调整后营业利润为1.9883万亿日元,利润率高达80.2%。业务结构上,SSD及存储业务营收占比约65%,主要受益于数据中心和企业级存储客户的贡献。

从订单结构看,AI推理缓存和高容量QLC SSD需求的持续增长,带动了企业级NAND采购量走高。尽管手机、PC等消费类NAND需求偏弱,但数据中心板块的旺盛需求有效对冲了消费级市场的疲软。产能规划方面,铠侠位于北上的Fab3新厂房计划于2029财年投产,主要用于生产3D NAND闪存。

多家存储原厂同步披露长单进展

除了NAND领域,DRAM与HBM赛道的长单签约同样火热。SK海力士、长鑫科技、三星电子等厂商均在近期业绩交流中通报了相关进展。

SK海力士:HBM/DRAM产能排期近乎售罄至2029年

SK海力士表示,结合已签约长协及在谈订单,其DRAM和HBM产能排期实质上已近乎售罄至2029年,客户申报的采购需求规模达到现有供给能力的两倍以上。目前,公司已与14家头部客户签订长期供货协议,覆盖2027、2028年超过50%的产能。技术层面,HBM4已于三季度进入量产,预计第四季度其营收占比将超过HBM3E。

长鑫科技:合同负债激增,服务器DDR5供不应求

长鑫科技在2026年第三季度业绩说明会上透露,2027年主力产品产能已收到客户预订,服务器DDR5处于供不应求状态。财报显示,截至9月末,公司合同负债达70.36亿元,较2025年末增长近15倍,主要为客户预付的产能锁定资金。同时,公司第六代DRAM工艺平台已完成工程样片验证,后续将配合客户需求推进导入。

三星与美光:HBM产能提前锁定

三星电子确认2027年HBM产能已全部售罄。其存储业务已与10家客户签署长期供货协议,另有10家正在洽谈多年合约,目标通过长协锁定60%至70%的存储产能。标准DRAM和消费级NAND仍维持常规订单分配模式。

美光则表示,2027年超过75%的产能已完成分配,剩余产能将根据客户需求动态调整。产业消息亦指出,美光2027年DRAM及HBM产能实际上已全部分配完毕。


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