【2026 IFWS】第三代半导体标准与检测研讨会会议通知

十五五阶段，SiC/GaN产业已进入规模化“提质升级”的关键阶段。随着AI算力需求增长，单机柜功率向MW级快速发展，800V HVDC高压直流供电架构成为产业发展热点，为SiC、GaN功率电子带来新的发展机遇，对标准化提出了新的挑战。

SiC器件在新能源汽车、光伏储能、轨道交通等中高压领域持续渗透，GaN器件在车载OBC、机器人关节、数据中心电源等场景加速落地。与此同时，测试方法不统一、可靠性评价体系不完善、检测能力不匹配，仍是制约产品互认和规模化应用的重要瓶颈。

联盟标委员会自成立以来，已构建起覆盖材料、外延、器件、模块、封装、检测的标准体系，制定团体标准70余项，其中转化国家标准14项。借第十二届国际第三代半导体论坛（IFWS 2026）召开之际，举办“第三代半导体标准与检测研讨会”，系统总结标委会重点领域的工作成果、对接产业与学术最新需求、规划下一阶段标准布局。

2026年11月19日 9:00—12:00 

地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店1F多能厅K5

规模：100人左右

徐先生 15201531856 xurp@casa-china.cn

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