前几年关键词是"国产替代"——能不能做出来。2026 年，问题换了：需求从一条线变两条，卡点从烧结炉挪到粉体袋，胜负从拼产能变成拼交付与一致性。
18% 国内 800V 高压平台渗透率 |
2 条 拉动力：车 + AI，节奏完全不同 |
5.7 亿 中材高新氮化物粉体项目总投资 |
2026.1.1 氮化硅基片国标实施日 |
数据来源见文末，部分口径存在差异。
1两条引擎，两种活法
同样卖基板，赚钱方式不一样
车 · 慢而长 800V 平台 + SiC 主驱上量，AMB 基板成标配。认证驱动：进车型要熬 1~3 年，进去后吃很多年。 |
AI · 快而急 单机柜功耗几十千瓦，GPU 散热与板载 48V→12V 电源用陶瓷基板；1.6T 光模块与 CPO 推氮化铝 DPC。交期驱动：打样快者先拿单。 |
2DBC 让位 AMB：不是升级，是被逼的
三步因果链
01SiC 芯片上车，模块要扛 −40~175℃ 反复循环。
02氧化铝 DBC 热膨胀系数与 SiC 差得远 → 开裂、界面分层，逆变器直接瘫痪。
03氮化硅热膨胀约 3.2×10⁻⁶/℃（贴近 SiC），抗弯约为氧化铝 2~3 倍 → 顶上。
下一个变量在钎料：无银钎焊正被头部功率厂验证，同时解决高压银离子迁移与成本两件事。
3扩产三种姿势，含金量不同
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国内多数企业是外购氮化硅裸片做覆铜，高纯低氧粉体仍部分依赖进口——产能在自己手里，成本挂在别人账上。所以头部都在往粉体端延链：中材高新 5.7 亿元、年产 2000 吨氮化物粉体项目，一期 500 吨投资 2.2 亿元。
4卡点：从"造得出"到"造得稳"
粉体｜高纯低氧氮化硅粉仍有进口依赖，是成本与供应的总闸门。
相组成｜北理工 2026 年 3 月模拟：β 相热导率约 162 W/(m·K)，约为 α 相两倍。导热不是烧出来的，是设计出来的。
超薄加工｜0.25 mm 及以下，日本厂商仍占优；国产已破 0.25 mm 级，更薄仍在追。
5标准落地：最大的分水岭
GB/T 45767-2025
《氮化硅陶瓷基片》· 2025-06-30 发布
2026 年 1 月 1 日起实施 · 中材高新氮化物陶瓷牵头
此前超薄基片的热导率、弯曲强度没有统一测试方法，企业之间无法对标。起草单位里罗杰斯（苏州）、富乐华、国瓷等国内外企业同席，等于把口径摆上同一张桌。
后果很直接：采购方可按标准验收与压价，行业从"讲故事"进入"对参数"——够不到门槛的产能，会变成无效产能。
6三句话收尾
- 送样 ≠ 订单。
该盯的是进了头部模块厂／车企供应链且重复下单的那几家，不是宣布新产线的数量。 - 别用一把尺子量三段。
氧化铝已是拼成本红海，氮化铝中端正放量，氮化硅高端仍需时间。 - 数据打架本身就是信号。
同一家企业产能，媒体给出过差异很大的数字——统计与披露都不成熟，别拿单一数字下判断。
上半场比谁先做出来，
下半场比粉体是不是自己的、良率稳不稳、熬不熬得过那 1~3 年。
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同期活动
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