10 月 29 日，北方华创正式推出首台面向先进工艺节点的 12 英寸微波 ECR（电子回旋共振，Electron Cyclotron Resonance）等离子体刻蚀设备，产品型号为 Acme Helix430。该新品将和公司已有的 ICP（电感耦合等离子体）、CCP（电容耦合等离子体）刻蚀设备形成技术互补，进一步完善国产刻蚀装备的技术矩阵。
刻蚀是晶圆前道制造的核心工序，负责将光刻图形精准转移至晶圆材料层。伴随先进逻辑器件向 GAA 环栅结构演进，工艺对低等离子损伤、高刻蚀选择比、精细形貌控制的要求持续抬升。微波 ECR 技术的核心优势在于，可以在维持较高等离子体密度的同时，把离子轰击能量控制在较低水平，为先进节点部分关键刻蚀工序提供差异化方案，弥补传统 ICP、CCP 刻蚀在低损伤场景下的能力边界。
据北方华创介绍，Acme Helix430 搭载自研微波 ECR 等离子体源，重点面向浅沟槽隔离（STI）、栅极刻蚀等核心工艺。设备依托低气压下微波共振高效加热、磁场拓扑优化，提升深沟槽侧壁垂直度与整片晶圆刻蚀均一性，拓宽工艺裕度。
设备原生支持原子层刻蚀（ALE）模式，能够在保护硬掩膜结构完整性前提下完成深沟槽刻蚀，抑制刻蚀微负载效应；搭配循环刻蚀策略，可提升 Si/SiGe 叠层结构的刻蚀调控能力，适配新一代先进器件制造需求。针对高深宽比工艺场景，设备采用大抽速涡轮分子泵与创新腔室设计，稳定维持毫托级工艺压力；高流导结构可快速排出反应副产物，减少微掩蔽缺陷，在 20:1 以上高深宽比结构刻蚀场景仍具备充足工艺调节空间。
从产品布局来看，此前北方华创已经在 ICP、CCP 刻蚀路线实现成熟量产，覆盖逻辑、存储、功率、硅光等多类产线。本次 ECR 刻蚀设备的落地，是国内厂商在微波 ECR 高密度等离子刻蚀方向的重要突破，丰富了国产高端刻蚀装备的技术选项，支撑国内晶圆厂在先进逻辑工艺上的工艺自主探索。
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