光通信芯片市场趋势

本报告聚焦AI浪潮下的全球光通信芯片行业，深入分析激光器、调制器及材料供应链的发展趋势。未来3至5年，随着800G/1.6T高端光模块及NPO/CPO方案的普及，市场需求将持续增长。其中，基于连续波（CW）激光器的硅光（SiPh）技术凭借供应链多元化与成本优势，市场份额有望持续提升，进而挤压EML的市场空间；同时，VCSEL与MicroLED成为NPO/CPO架构的重要备选技术路线。

在调制技术方面，传统IM-DD方案因长距离信号失真及带宽受限逐渐显露短板，Coherent及Coherent-Lite相干调制技术逐步兴起。预计谷歌将于2027年部署2.4T Coherent-Lite方案。

材料端，FP、DFB、EML及CW激光器均依赖InP基材，使得InP衬底成为供应链的核心瓶颈；GaAs主要应用于VCSEL与MicroLED；而TFLN、BTO等新材料在下一代光通信中的重要性日益凸显。

供应链层面，随着国内厂商崛起，中低端光芯片供给紧张局面将逐步缓解。然而，2026至2027年间，200mW以上CW激光器、200G+ EML等高端芯片仍将面临供给紧缺，主要受限于产能扩张缓慢、设备交期长及良率约束。目前，高端InP衬底由海外三家厂商主导，出口管制可能扰动全球有效供给。尽管国内具备完整的光通信供应链，光模块龙头企业在供应链整合与创新方面具备优势，但光芯片扩产仍面临一定的监管风险。

据LightCounting预测，光芯片市场规模将从2025年的40亿美元增长至2031年的150亿美元。市场份额方面，2025年InP占比58%，硅光占比32%；预计到2031年，硅光占比将提升至42%，InP回落至46%。InP激光芯片出货量预计从2026年的4.8亿只增长至2028年的15.42亿只。

报告对比了EAM、MZM、MRM三类主流调制器：EAM多用于800G/1.6T可插拔光模块；MZM技术成熟，广泛应用于硅光及TFLN平台；MRM体积小、功耗低，适配CPO及芯片间互联，但对温度高度敏感。

NPO/CPO领域存在三条主要技术路线：硅光适合100米以上传输；VCSEL采用“慢而宽”架构，适配10-100米中距互联，其中1060nm VCSEL成为行业热点；MicroLED则面向10米以内的超短距离传输。VCSEL市场在2025-2031年间复合增速预计达38%，2031年出货量将达6.5亿只。MicroLED CPO尚处于原型阶段，但国内LED产业链具备配套基础，多家企业正推进样品制备与流片。

在材料维度，InP适配相干及高速长距场景；GaAs主打短距VCSEL；SiGe用于驱动、TIA及探测器；TFLN高速调制器已实现量产；BTO电光性能优异，但外延制造仍存挑战。此外，NVIDIA与Cisco推出USFP新标准，支持1.6T向更高带宽平滑演进，单模块带宽最高可扩展至12.8T。

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