全球首座！12英寸GaN晶圆厂落子

英飞凌将在欧洲打造全球首个300mm氮化镓功率半导体生产基地

10月27日，英飞凌宣布将在奥地利菲拉赫工厂建设全球首个基于300毫米（12英寸）晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。该项目计划到2034年累计投入约11亿欧元，对厂区现有洁净室设施进行改造升级，新产线预计于2027年底投产。

欧盟委员会已依据《欧洲芯片法案》框架批准为该项目提供3.19亿欧元的国家补助。菲拉赫基地作为英飞凌功率半导体的核心研发制造据点，目前拥有4800名员工及200毫米氮化镓产线能力，此次升级旨在转向更大尺寸晶圆工艺。

300mm晶圆提升量产经济性，瞄准AI数据中心供电需求

相较于200毫米晶圆，300毫米晶圆的芯片产出数量约为其2.3倍。更大尺寸的晶圆能有效摊薄单片制造成本，显著提升氮化镓器件的量产经济性。

这批氮化镓功率器件主要面向AI数据中心供电、新能源汽车、工业自动化及机器人等高价值场景。凭借高开关频率、低导通损耗和高功率密度特性，氮化镓器件高度匹配AI服务器高压供电架构的需求。

深化与英伟达合作，适配800V直流供电架构

就在10月21日的英伟达柏林GTC开发者大会期间，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，双方将联合开发基于氮化镓的高压中间总线转换器（IBC），以适配800V直流AI数据中心供电架构，服务于英伟达MGX开放式模块化AI工厂参考架构。

NVIDIA 800V HVDC △图源：英伟达

此次合作是双方2025年5月启动的800V直流供电项目的延伸。此前合作聚焦于机架热插拔保护方案，本次则进一步锁定氮化镓技术路线，覆盖800V转50V、800V转12V等多种转换规格，面向单机架最高1兆瓦功耗的算力机架，方案计划自2027年起逐步落地部署。

随着AI服务器单机功耗持续走高，英伟达推动的800V高压直流供电架构正成为新一代AI数据中心的主流方案。氮化镓凭借其在电源转换环节的核心优势，市场需求重心正从消费快充向AI算力、车载OBC、光伏储能等高价值领域转移。

当前全球氮化镓功率器件量产多以200毫米晶圆为主，存在单片产出有限、成本偏高等问题。300毫米路线不仅能提高单片产出，还能复用成熟的硅基300毫米洁净厂房与配套设备体系，降低资本投入，被视为行业规模化降本的关键路径。

并行碳化硅与氮化镓路线，全球产能布局加速

在技术路线上，英飞凌同时并行碳化硅和氮化镓两条宽禁带半导体路线。10月15日，英飞凌与Wolfspeed签署200毫米碳化硅晶圆长期供货协议，以保障自身碳化硅器件向200毫米产线切换的原料供给，产品涵盖新能源车、光伏及AI数据中心供电链路。

在建厂扩产方面，英飞凌全球布局持续推进：

• 德国德累斯顿：7月正式启用Smart Power Fab，总投资50亿欧元，是英飞凌史上单笔最大投资，主要生产功率半导体与模拟芯片。
• 马来西亚居林：作为全球碳化硅核心基地，一期投资20亿欧元，专注车规级碳化硅器件量产。
• 泰国：10月1日全新后道制造基地正式投产，完善全球封装测试配套，以分散供应链风险。