导语
美光高管表示未来2年看不到存储器不短缺的时期，并转述公司首席执行官的说法：“实际上看不到供需恢复平衡的时候”。
正文
美东时间10月21日，全球存储芯片厂商美光科技举行投资者技术研讨会，由总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 介绍 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器，即“内存”）、NAND（NAND 闪存，用于固态硬盘等）与 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存，AI 芯片的配套内存）的技术路线。
1、存储器成为 AI 系统的“瓶颈”
DeBoer 表示，存储器已经是 AI 系统性能的限制因素，决定着 AI 的容量、性能和每个token（AI 生成内容的基本单位）的成本。他举例称，一个HBM4 堆栈的带宽为每秒 2.8TB，约 100 个堆栈即可抵得上全球互联网每秒 282TB 的总带宽。
2、DRAM内存：下一代工艺 2027 年下半年爬坡，未来是三维堆叠
美光目前的主力内存工艺 1-gamma 已大批量生产。下一代 1-delta 工艺将于 2027 年下半年开始量产爬坡，位元密度（同样面积能存的数据量）提升25%左右（原话为“20% 区间的中段”）。更远期的工艺已在研发中，将引入高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）等新技术。
对于业内讨论较多的一种新型内存单元结构“4F²”，DeBoer 表示，美光研究了 20 年、研发一直在继续，但因复杂度和成本至今没有采用。他认为决定内存密度的关键是电容间距，长期来看，下一步将是三维堆叠的“3D DRAM”，推出时点将按业务需要决定。
3、NAND闪存：跳过一代，层数超过400层
美光下一代闪存命名为 G11，跳过了 Gen10，它的层数超过 400 层，位元密度是现有 G9 的 2 倍，接口速度目标为 G9 的 1.5 倍，同样将于2027年下半年爬坡。美光还在开发面向 AI 的高速闪存产品。
4、AI 内存：叠到芯片“头顶”上
美光的 HBM4 已大批量生产，下一代 HBM4E 的底层芯片将交由晶圆代工厂用先进工艺制造。更远期，美光将推出“垂直 HBM”，把内存直接叠在 AI 处理器正上方，以获得更高带宽。
DeBoer 提到，这类产品生产同样数量的数据位需要消耗更多晶圆，而且越往后的产品消耗越多。
5、其他发布
已向客户送样容量 512GB 的服务器内存条，下一代将达到 1TB。
LPDDR6（Low Power Double Data Rate 6，第六代低功耗内存）功耗较上一代 LPDDR5 改善35%，并与一家大型互联网公司合作，推动其用于数据中心。
借助AI工具，新一代固态硬盘的开发时间较上一代缩短 60% 。
美光今年夏天宣布在10年内投入100亿美元设立研究实验室。
6、供需展望
在问答环节，DeBoer表示，未来2年看不到存储器不短缺的时期，并转述公司首席执行官的说法：“实际上看不到供需恢复平衡的时候”。本次研讨会未披露财务、资本开支或出货量数据。
本文根据美光 2026 年10月21日技术与产品领先投资者网络研讨会的会议实录整理，不构成投资建议。
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过往公司荣誉
2023年12月，东方财富2023年度新锐私募基金公司
2024年7月，国泰君安道合私募寻星23~24季股票多头组优胜奖
2024年7月，私募排排网2024年上半年股票策略收益榜冠军（上海地区管理规模5-10亿）
2024年8月，西南证券“璞石计划”首届私募实盘大赛领航奖
2024年12月，东方财富2024年度潜力私募基金公司
2025年4月，中信建投证券“潜龙杯”第四届主观多头优秀私募管理人（2023年10月~2024年3月）
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