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一、执行摘要
（一）核心结论
中国先进功率半导体（碳化硅）已经越过产业成长的鸿沟临界点，正从成长期中段走向中后段，对应渗透率区间由16%至30%向30%至50%过渡。
判定锚点是新能源汽车主驱场景。2026年1-5月，国内新能源上险乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比30.9%，2025年同期18.6%，一年提高12.3个百分点。同期800V车型内部的SiC渗透率已达77%。高压平台与碳化硅的绑定，在工程层面基本完成。
全口径下SiC在功率器件中的金额占比仍只有个位数。两个口径的落差说明替代是高度场景选择性的：对效率、功率密度和系统成本敏感的场景，SiC换得很快；成本敏感的低压小功率场景，换得很慢。用全口径判断阶段会系统性滞后，用主驱口径又容易高估整体成熟度。本报告取主驱口径为锚，全口径只作渗透率天花板的校核参照。
中国市场与全球市场处在不同阶段，这一点决定预测参数怎么选。Yole Group对全球功率SiC的基准判断是2025-2031年复合增速约20%、2031年约110亿美元，并把2024-2027年定性为“暂时性放缓”，此后进入“新的成熟阶段”。中国的节奏更快。Yole在SEMICON China 2026期间发布的监测报告显示，芯联集成2025年SiC业务同比增长约50%，以约5%的全球份额并列全球第五，是中国器件厂商中排名最高的一家。拿全球的衰减节奏外推中国，会低估中国成长期的持续时长。
高增速没有传导到利润。2025年国内碳化硅产能集中释放，价格战全面铺开。天岳先进全年销量63.33万片、同比增长75.33%，营收反而下降17.15%至14.65亿元，归母净利润由2024年盈利1.79亿元转为亏损2.08亿元。亏损里含补缴IPO报告期税款及滞纳金8297.28万元、汇兑损失、资产减值和港股上市一次性费用，真正由价格决定的信号是毛利率：主营业务（碳化硅衬底）毛利率17.10%，比上年少15.82个百分点，含半绝缘等其他业务的综合毛利率为13.05%；境内业务为-6.22%。三安光电旗下湖南三安2025年收入9.10亿元、净亏损3.23亿元，芯片产能利用率49.42%。渗透率加速与盈利塌陷同时发生，是这一轮成长期最需要盯住的矛盾。
（二）投资与战略建议
阶段定位决定了配置重心在结构，不在总量。
第一，车规主驱SiC模块的份额收敛。主驱IGBT模块领域，芯联集成、时代电气、士兰微、斯达半导的领先优势已经确立，海外厂商份额在下降，SiC模块正在复制这条路径。成长期中后段，份额切换比总量增长更能解释企业之间的回报差异。
第二，衬底环节的大尺寸窗口。天岳先进8英寸衬底全球市占率51.3%（日本富士经济2026年3月口径；Yole同期给出的8英寸份额为60%，两家机构统计边界不同），在8英寸替代6英寸的进程中占住先手。衬底同时也是2025年价格战最惨烈的环节，规模优势与盈利兑现之间有时间差，跟踪变量应取良率爬坡节奏，不是产能数字。
第三，设备与材料的国产化纵深。大基金三期注册资本3440亿元，约70%投向设备、材料和核心零部件，约30%布局先进封装与AI存储。官方点名的方向是光刻、涂胶显影、键合、量检测设备，以及光掩模基板、高纯靶材、电子特气、光刻胶和EDA；SiC衬底、外延与长晶设备落在“设备材料”这一投向的辐射范围内，但不在点名清单上，读者不宜把它当作定向支持。设备国产化的速度，决定中国SiC产能扩张的边际成本曲线。
二、行业阶段判定
（一）渗透率轨迹
主驱场景口径下，2025年1-5月SiC MOSFET占比18.6%，2025年1-8月18%，2026年1-5月30.9%，同期800V车型内部为77%。一年内从约19%到约31%，是跨越鸿沟之后加速段的典型形态。这里有两点需要说明。2025年1-8月的18%低于1-5月的18.6%，说明该年内月度渗透率并非单调上行；本报告取1-5月作基期，是为了与2026年同期对齐，不是挑一个偏高的起点。国信证券8月31日月报把窗口延至1-6月，同一口径下主驱为30.7%、800V车型渗透率约36.3%、800V车型内部为71.6%，三项与1-5月值的差距在0.2至5.4个百分点之间、方向并不一致，属两版累计口径的统计调整，本报告仍用1-5月窗口以保持基期可比。在技术方案已经验证的高压平台上，SiC接近默认选项。
全口径下，2025年全球功率器件中SiC约占7.56%。中国第三代半导体功率电子（SiC与GaN合计）市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中新能源汽车及交通约148亿元，SiC是主体构成。这里有两处口径要分清：227亿元与7.56%的分母不同（前者中国、后者全球）；227亿元也与本报告建模所用的94.6亿元不同，它含GaN、未区分器件与模块计价，约为94.6亿元的2.4倍，其中“新能源汽车及交通”148亿元约为本报告新能源汽车（59.6亿元）的2.5倍。公开资料不足以完成换算，本报告预测统一使用器件级口径。
（二）行业增速与GDP增速
2025年中国GDP增长5.0%，总量140.19万亿元。按本报告设定的成长期标准，行业增速需持续高于GDP增速的1.5倍，即7.5%。中国SiC功率器件市场远超这一阈值。
基于Omdia和Yole分领域数据加总，2025年中国SiC功率器件规模约94.6亿元：新能源汽车59.6亿元，新能源发电13.25亿元，工业控制11.35亿元，其他10.41亿元。该数为分领域测算的加总值，口径见第四章表注。公开来源里没有一个可以直接引用的“中国SiC功率器件全市场2025年增速”的单一权威数值。本报告把基准年增速取在55%，这是一个分析师推断值，依据是行业追踪“中国SiC市场增速超过50%”的方向性判断、芯联集成50%的企业增速，以及主驱渗透率一年提高12.3个百分点的节奏。这里有一处方向性反差：同一联盟报告预期2026年功率及射频电子产值增速在15%以上，低于本报告对SiC器件2026年32%的金额增速。两者不矛盾，15%以上含硅基基本盘且按产值计，价格下行会稀释金额增速；但不宜把全口径产值增速直接当作SiC器件增速使用。
与全球对照是理解阶段差异的关键。Yole对全球功率SiC的基准预测有两组：2024-2030年器件市场由34.30亿美元增至103.85亿美元、复合增速约20%；2025-2031年复合增速约20%、2031年约110亿美元。两组数字出自不同期报告，观察窗口不同，不宜互相推算。20%在全球已属高速，但与中国主驱一年提高12个百分点的节奏相比，中国的增速溢价很明显。原因不在需求总量更大，而在起点更低、替代空间更集中、价格下探更快。2025年第一季度6英寸SiC衬底均价同比下降约40%，从年初的4000至4500元/片降至2500至2800元/片，逼近部分企业成本线。价格快速下行在中国产生的需求弹性，不是全球均价的下行节奏能够直接映射的。
（三）阶段判定结论
当前阶段：成长期中后段，正从16%至30%区间向30%至50%区间过渡。
这个判断与全球阶段形成有意义的错位。Yole把全球SiC描述为进入新的成熟阶段：2024-2027年短期放缓与长期增长并存，8英寸转型和IDM垂直整合成为主线。成熟化表现为增速向20%左右收敛、竞争焦点从“有没有”转向“好不好”、供给从分散扩产转向整合。中国同时在经历两件事：渗透率仍在加速段，盈利端已经提前感受到成熟期的压力。天岳先进销量增、营收降、利润亏，是渗透率逻辑与价格竞争逻辑在同一时空叠加的结果。
从S曲线分段看，中国SiC正处在斜率最大的区间。30%附近仍在创新扩散的早期多数阶段内部，距早期多数转向晚期多数的50%分界尚有一段距离，但已是增速最容易出现“看似放缓、实际增量最大”的阶段。2026年1-5月30.9%对应的年增量约12.3个百分点，全年落在33%附近；以此为起点按年增7个百分点左右外推，2027年触及40%、2028年触及47%，与基准路径相符。这个外推依赖两个条件：8英寸良率继续改善，车规模块价格在1500元附近企稳。若价格继续按2025年的速度下行，渗透率的数字会更好看，供给端的可持续性却会被侵蚀。
三、发展驱动力分析（五维矩阵）
（一）政策维度
政策在中国SiC产业中的角色，已经从导入期的方向性催化转为成长期的规模化支撑。大基金三期注册资本3440亿元，其中约70%投向设备、材料和核心零部件，约30%投向先进封装、AI存储与前沿算力。与前两期以设计和制造为主不同，这一轮的落点在光刻、涂胶显影、键合、量检测设备，以及光掩模基板、高纯靶材、电子特气、光刻胶、EDA等长期依赖进口的环节。
与补贴和采购倾斜不同，这一轮政策的重心是降低供给侧瓶颈，不直接刺激需求。基金不建厂、只投设备材料，本身即是对产业阶段的一次判断：需求侧的渗透率已经进入自我加速区间，政策的边际价值在于让供给跟得上、成本降得下去。
政策链条在2026年具体化。工信部、国家发展改革委印发的《电子信息制造业发展“十五五”规划》提出推动宽禁带半导体产业提质升级，并把氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体列入产业化方向；国家“十五五”规划纲要把集成电路列入全链条攻关的重点领域，SiC在这一框架下获得覆盖。地方层面承担产能落地和资本开支分摊。政策正面不等于产业健康。基金投向材料和设备，说明当前最关键的瓶颈不在器件设计或模块封装，而在上游衬底质量和设备可得性；8英寸良率爬坡不及预期，是2025-2026年最确定的降本约束。资源到位与良率瓶颈消除之间，还隔着执行时滞。
（二）资本维度
资本信号是分裂的：总量充裕，结构分化，盈利塌陷。
总量上，一级市场和产业资本的投入仍在延续，大基金三期落地、上市公司围绕衬底和模块的扩产公告、全球SiC投资公告超过300亿美元，共同构成燃料充足的图景。盈利结构上，2025年的价格战已经把多数环节推进亏损区间：天岳先进主营业务毛利率17.10%（综合毛利率13.05%）、境内业务-6.22%；湖南三安净亏损3.23亿元、2025年芯片产能利用率49.42%，垂直整合在产能利用率不足时反而放大了折旧和固定费用。
资本流入的性质正在变化。成长期前段，资本主要用于把产能建起来；成长期中后段且盈利为负时，资本流入越来越带有维持竞争地位、等待出清的性质。天岳先进8英寸全球市占率51.3%，说明头部企业仍在用规模巩固位置，规模能否转化为盈利，取决于良率改善能否跑赢价格下行。这一维度的正面评分要附条件：若2027年前头部企业毛利率不能系统性转正，当前资本流入的可持续性需要重新评估。
（三）产业供给维度
供给端的特征是总量过剩与结构紧缺并存。2025年国内碳化硅产能集中释放，低端衬底和器件供给冗余，价格战由此触发。高品质车规级衬底的产能储备始终不足，8英寸量产良率的爬坡慢于产能扩张。产能数字的扩张不再等同于有效供给的扩张。一条8英寸产线宣布投产之后，从良率爬坡到车规级稳定供货仍需数个季度，其间产出的有效芯片数量远低于名义产能。
国产替代的格局已经比较清楚。主驱IGBT模块领域，芯联集成、时代电气、士兰微、斯达半导领先，海外厂商份额下降；SiC模块正在复制这条路径，芯联集成2025年SiC业务同比增长约50%，跻身全球前五。份额提升与利润获取是两件事。价格战环境下，份额的提升可能以牺牲毛利为代价，量的替代和质的替代之间存在时间差。
（四）技术维度
技术主线在2025-2026年已经切换到8英寸平台。Yole指出，2024年8英寸过渡显著推进，Wolfspeed的8英寸收入率先超过6英寸，英飞凌和博世于2025年进入量产，行业整体的车规级认证活动目标是在2026年实现更广泛的部署。中国在衬底环节的位置比器件环节靠前：天岳先进8英寸全球份额51.3%，12英寸衬底已有中国供应商展示。Yole同时指出12英寸并不针对当前的器件制造平台，8英寸转型仍需时间爬坡。
8英寸的意义在单位成本的结构性下移，不在尺寸本身。6英寸平台上衬底成本占比更高，价格下行空间受制于衬底自身的成本刚性；8英寸良率一旦越过临界点，成本曲线会出现一次不连续下移。2025年8英寸量产良率的行业估计在45%至60%区间，各家口径不一，本报告取45%作为保守参照。方向确定，节奏不确定，而节奏是当前盈利能否修复的关键变量。
（五）用户维度
用户维度是本轮判定中最强的正面。主驱SiC MOSFET占比一年内从18.6%升至30.9%，是规模化复购和平台级锁定，不是试用或验证。2026年1-5月800V车型77%的SiC渗透率意味着，在已选高压架构的车型上，采用SiC接近系统性决策，不逐车型独立选择。200kW以上车型在新能源主驱中的占比升至36%（2026年1-6月，国信证券；按整车功率划分，与800V渗透率不是同一维度），扩大了效率优势兑现价值的场景基数。
第二增长曲线在出现。光伏与储能场景中，SiC渗透率2025年处于18%至23%区间：GEP Research对“光伏逆变器与储能变流器”的合计口径为18%，另有调研口径显示“光伏逆变器与储能系统”的替换率约18.6%，储能逆变器单独口径的估计值更高。三组数字的统计边界不一致，权威层级也弱于本报告核心数据所依赖的研报与Yole发布，属调研性估计值。本报告取18%作保守参照，仅作辅助证据，不进入阶段判定。
用户维度的风险不在需求意愿，在价格敏感性与供给盈利的张力：整车厂享受价格下行红利的同时，把成本压力向上游传导，这正是2025年价格战的微观机制。
（六）综合评分
图表1 2026年中国先进功率半导体（SiC）产业五维综合评分
注：评分为方向性判断，不是量化打分；用户维度为强正面，资本投入以毛利率修复为前提。
数据来源：国信证券、Yole Group、富士经济、上市公司公告，中投产业研究院
表中三维为正面：政策支持、资本投入、用户买单，其中用户买单最强、资本投入附条件；另两项居中，产业供给为中性偏正面，技术进步为中性。成长期健康度的基本盘成立。但资本投入的附条件性与产业供给的中性偏正面，共同指向一个不能被高增速掩盖的事实：当前成长期的盈利基础并不稳固。成长期的定义性特征是渗透率快速提升，可持续性取决于供给端能否形成正向的现金流循环。2025-2026年的中国SiC产业尚未完成这一循环，这是与教科书式成长期最大的偏离。
四、市场规模预测
（一）预测方法选择
阶段判定落在成长期中后段、30%至50%过渡窗口，对应S曲线分段衰减框架。基准坐标以2025年为标定年：中国SiC功率器件规模取95至105亿元区间，中值100亿元。分领域加总为94.6亿元，数据中心电源、轨道交通等场景未单列，按5%至10%的未列场景补量上修至该区间。
基准年主驱SiC MOSFET渗透率取2025年1-5月的18.6%，按全年口径估计在20%左右。2026年1-5月实际值30.9%，全年按33%估计。
分段衰减规则做一处调整。标准规则是30%至50%区间每年增速按上年八折折算，越过50%后收紧到七折。中国SiC在2025-2026年出现价格趋近平价的拐点，价差收窄释放被成本门槛抑制的需求，30%至40%区间斜率因此高于标准衰减模型。因此第1至2年（2026-2027年，主驱渗透率约33%升至40%）增速按上年九折安排。延续的前提是800V架构渗透不停滞，迁移中断则回到八折。
（二）关键假设与可替代空间测算
图表2 2026-2035年中国SiC功率器件市场关键假设与主驱可替代空间测算
注：基准年94.6亿元为分领域测算加总值，非机构直接发布的“中国SiC总市场”口径。价差倍数在裸芯片与模块、国产与国际、功率等级之间口径不同，跨口径比较会失真。光储SiC渗透率18%至23%对应“仅光伏”“光伏+储能”“储能逆变器”等不同边界，属调研口径，仅作方向性参照。
数据来源：Yole Group、Omdia、国元证券、中国经营报、政府工作报告、中投产业研究院
（三）三情景预测
中性情景的推演结果按年列出。2026年全年主驱渗透率约33%，规模约132亿元，价格年降约12%，增速约49.5%，即基准年55%的九折。2027年渗透率约40%，规模约172亿元，价格年降约10%，增速约44.6%。2028年渗透率约47%，进入30%至50%区间中后段，规模约215亿元，价格年降约8%，增速回落到35.7%。2029年渗透率越过50%，规模约250亿元，价格年降约7%，增速约25.0%。2030年渗透率约55%至58%，规模约276亿元，价格年降约6%，增速约17.5%。
这些数只由三个输入决定：基准年规模、逐年增速、价格年降幅度。渗透率不进入规模计算，作用是校验路径与S曲线分段是否自洽。价格年降的节奏见上表，金额口径的增速因此稳定低于数量口径，越接近成熟期，背离越明显。绝对增量的峰值在2028年，约43亿元；2030年增速虽压到17.5%，新增规模仍有约26亿元，略低于2026年的32亿元。
第10年（2035）为远景区间。渗透率从2030年的约56%升至72%至75%，增速向长期中枢下移、仍高于GDP增速，2031-2035年复合增速取10%至13%，以2030年276亿元为基数，2035年规模约445至510亿元。该区间已计入价格持续下行的拖累，反映的是销量增速高于金额增速的成熟前夜特征。
图表3 2025-2035年中国SiC功率器件市场规模三情景预测
单位：亿元
注：2025年为基准年，规模取100亿元中值；2028年、2030年、2035年分别为推演的第3年、第5年、第10年；末列复合增速的区间为2025-2030年。2028年与2030年按上年规模乘当年增速、再扣除当年价格降幅逐年递推；2035年由2030年按复合增速10%至13%外推，乐观取上限、悲观取下限。四舍五入取整，与逐步复算值存在2亿元以内的舍入差。
数据来源：中投产业研究院
情景假设说明。乐观情景假设8英寸良率2027年突破55%至60%，车规模块价格2028年降至1200至1300元，与IGBT价差收窄至1.2倍以内，光储与AI数据中心场景的SiC渗透提前12至18个月达标。悲观情景假设产能过剩延续至2028年，价格战把车规模块均价进一步压低，部分二线衬底与器件厂商退出；供给收缩有利于中期格局，短期内渗透率爬坡却会因供给端混乱而放缓。中性情景是当前可见信息下概率权重最高的路径，其核心假设（价格在1500元附近企稳、8英寸良率渐进改善、主驱渗透率2027-2028年按年增7个百分点推进、800V架构渗透不停滞）都在产业验证信息的合理外推范围之内。
五、关键拐点监测
（一）核心拐点定义
成长期中后段的拐点与导入期的鸿沟跨越性质不同。导入期拐点问的是需求是否得到验证；当前阶段的拐点问的是供给可持续性，以及渗透率平台会不会出现。
拐点一，主驱渗透率的平台风险观察窗口（2027-2028年）。从30%向50%推进的过程中，37%至40%是第一个需要密切跟踪的潜在平台。这一区间对应400V平台向800V平台切换的中间地带：800V车型的SiC采用已较充分，增量需要来自400V车型的架构迁移，而迁移节奏受整车平台开发周期和充电基础设施约束。若渗透率在37%至40%区间连续两个季度环比提升不足1个百分点，中性情景第3至4年预测需要下修，九折安排的延续性假设也应被推翻。
拐点二，产业链盈利的正向循环拐点（2027-2028年）。核心观测对象是头部衬底与器件企业的毛利率。天岳先进2025年销量增七成而利润转亏，说明规模效应在价格下行面前暂时失效。盈利拐点的标志不是单季度毛利率转正，而是毛利率改善与产能利用率提升同时出现。上海有色网的数据显示，2026年以来头部衬底企业产能利用率普遍突破90%，6英寸衬底价格出现反弹，8英寸价格止跌企稳。上游价格企稳与器件端价格下行并不矛盾：模块降本更多来自8英寸良率提升与规模摊薄，本报告中性情景对2026年车规模块仍按年降约12%安排，两个方向不能互相印证。2026年的财报已经给出第一组修复证据：天岳先进前三季度营收15.59亿元、同比增长40.22%，归母净利润2721.62万元，第三季度毛利率回升至27.46%，8英寸产品收入占比超过50%（公司2026年三季报）。这是积极信号，可持续性取决于需求端能否消化2025-2026年集中释放的产能。若2027年毛利率不能连续两季环比改善，成长期的盈利可持续性假设需重新评估。
拐点三，8英寸良率的成本释放拐点（2027-2028年）。8英寸的产业意义在成本曲线的不连续下移，不在先进性。2025年8英寸良率按保守口径约45%，距离成本优势充分释放所需的55%以上仍有距离。良率每上一个台阶，单位成本的下行是非线性的。若2027年8英寸量产良率连续两个季度达到55%以上，SiC相对IGBT的成本劣势将在更多中端车型上消失，渗透率的第二波脉冲获得成本端确认。
（二）拐点时间窗口
以2026年为当前时点，三个拐点的时间窗口递进但不完全重合。渗透率平台风险最早，2027年上半年即可获得有意义的季度数据序列。盈利正向循环紧随其后，2027年下半年至2028年上半年是关键验证期，届时2025-2026年扩产的产线将进入完整年度的运营数据披露周期。8英寸成本释放的确认略晚，2028年前后是更合理的观察时点，从良率突破到车规级大规模稳定供货之间隔着认证和爬坡的固有滞后。
这个排列的含义是：2027年是判断中性情景是否需要系统性调整的决策年。若渗透率平台风险未兑现、盈利拐点初现，中性向乐观偏移的概率上升；若两者同时恶化，悲观情景的权重需要上调。
（三）信号监测清单
图表4 2026-2028年中国SiC产业关键拐点信号监测清单
注：主驱渗透率、800V渗透率的当前值为2026年1-5月；SiC与IGBT价差行的前者为2025年3月值，2026年趋向1.5倍的判断见正文，监测时应改用同口径最新月度值。GDP增速行为2025年实际值；8英寸良率、衬底毛利率、光伏储能渗透率的当前值为2025年全年数据。其中17.10%为天岳先进主营业务（碳化硅衬底）毛利率的单家公司口径，同期综合毛利率为13.05%，不代表行业均值；45%是行业估计区间（45%至60%）内的保守取值；18%为行业调研性质估计值。价差倍数的分母口径存在行业差异（裸芯片与模块、国产与国际、功率等级），跨口径比较会失真。产能利用率条件已基本满足，衬底毛利率一行的观察重心在毛利率能否连续两季环比改善。
数据来源：国信证券、Yole Group、上海有色网、国家统计局、中投产业研究院
六、风险提示
（一）风险矩阵
图表5 2026年中国SiC产业风险矩阵（概率与影响）
数据来源：国信证券、Yole Group、国元证券、上市公司公告、中投产业研究院
（二）风险对预测的修正
产能过剩与价格战延续是当前概率最高、影响最直接的下行风险，成因是产能释放周期与需求增速节奏错配。天岳先进销量增七成而营收降17%的数据表明，价格下行对营收的侵蚀已经超过销量增长的对冲。若2027-2028年8英寸产能进一步集中释放，而主驱渗透率的年增量从7个百分点收窄到3至4个百分点，悲观情景中2030年215亿元可能成为基准而非下限。这一风险同时作用于量和价：价格下行短期刺激量、侵蚀利润；利润侵蚀抑制再投资和技术迭代能力，中期反过来制约量的增长。
主驱渗透率平台风险是中性情景最需警惕的结构性变量，当前30.9%的渗透率中800V车型贡献高度集中。800V架构在新能源车型中的渗透率（2026年1-5月约33%，1-6月为36.3%）继续提升时，SiC的主驱渗透率会搭便车上行；一旦架构渗透放缓，SiC暴露出来的真实驱动力是架构迁移速度，而不是SiC替代IGBT的速度。把“800V车型中77%的SiC渗透率（2026年1-5月）”线性外推为“所有新能源车型将走向77%”，会系统性高估中短期路径。这一风险同时构成九折安排能否延续的直接否定条件。
8英寸良率属于节奏风险，不是方向风险。Yole明确指出8英寸转型仍需时间爬坡，中国在12英寸衬底上的展示也不针对当前器件制造平台。方向确定，不确定的是斜率。对市场规模预测而言，良率节奏1至2个季度的偏差，在复利效应下会转化为第5年规模5%至10%的偏离。中性情景已计入保守调整（价格年降幅取区间中值而非乐观端），若良率改善持续低于预期，第3至4年预测仍面临下修压力。
方法论层面的局限需要声明。30%至50%区间引入的价格与渗透率耦合调整，是基于2025-2026年平价趋近判断的一次非标准操作。九折这个数无法从公开数据直接校准，调整的方向在产业逻辑上成立，幅度构成预测不确定性的主要来源。若2027年主驱渗透率显著偏离中性路径，或800V架构渗透连续两个季度停滞，九折应作为首要敏感性变量被撤回，而不是把偏离简单归因于外生条件。图表4的拐点阈值（1个百分点、0.5个百分点、55%、90%）为本报告设定的观察阈值，仅用于触发复核，不是行业标准。这些局限不改变阶段判定的定性结论，但引用具体数值时应意识到其中的推断与估计成分。
END
《2026-2030年中国碳化硅行业深度调研及投资前景预测报告》
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