近日，美国商务部与美国国家标准与技术研究院（NIST）联合发布公告，依托《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）研发资助计划，与四家企业签署意向书，计划提供总额最高达3.89亿美元（约合人民币25.94亿元）的研发补助。资金将重点投向高压功率半导体、垂直氮化镓（GaN）器件及超高纯度石英材料等领域，应用场景覆盖AI数据中心、电网基础设施及核聚变发电设施。
四家获资企业及具体用途
根据公告，四份意向书对应四家不同主体，具体资助额度及研发方向如下：
- Helion：拟获最高1.75亿美元，用于研发适配核聚变装置的高压功率半导体与功率模块；
- Commonwealth Fusion Systems：拟获最高8500万美元，专注于射频等离子体加热、功率电子、聚变诊断及抗辐射电子相关半导体技术的研发；
- Vertical Semiconductor：拟获最高7300万美元，推进垂直氮化镓功率器件研发，并建设一套2.5兆瓦的数据中心机架示范项目；
- Sibelco：拟获最高5600万美元，开发超高纯度石英的提纯与精加工工艺，产品主要应用于半导体晶体生长坩埚及配套工艺耗材。
强化本土能源半导体供应链
《芯片与科学法案》是美国扶持本土半导体产业的顶层政策，整体授权约527亿美元，其中390亿美元用于制造业激励，110亿美元投向研发体系。此前，美国商务部已向博世、Wolfspeed等功率半导体企业发放补助，以支持碳化硅、氮化镓等宽禁带器件的本土研发与制造。
本次3.89亿美元属于法案框架下的研发资助资金。其核心目标在于搭建本土能源半导体供应链，降低对海外依赖，并强化电力转换及能源控制类器件的本土研发能力。其中，垂直氮化镓项目专门面向AI算力基础设施，聚焦数据中心内部电能转换环节，旨在满足高算力集群日益增长的供电需求。