10月23日长江存储正在开发速率高达9600MT/s的LPDDR5X内存，并计划在武汉Fab 3工厂实现量产。这是这家NAND闪存巨头首次将自研DRAM推向高速移动内存赛道，直接对标三星、美光等国际巨头。

长江存储的DRAM路线并非临时起意。自2025年10月起，该公司已在Fab 2工厂开展第二代16Gb LPDDR5的研发与测试，速率7500MT/s，月产量约5000片晶圆。

而此次曝光的9600MT/s版本，速率大幅跃升，并首次引入了垂直通道晶体管（VCT）与4F²单元架构，标志着长江存储正从成熟制程向先进DRAM架构快速切换。

4F²架构是这轮技术竞赛的焦点。与传统的6F²架构相比，4F²能将单个存储单元的面积缩减至四倍特征尺寸的平方，理论上可在相同芯片面积内容纳更多单元，从而提升密度、降低成本。

这一路线与长鑫存储此前宣布的4F² DDR5计划形成呼应，显示中国存储厂商正集体押注这一新架构。

有趣的是，美光此前曾公开唱衰4F²，称其不存在可行的微缩路径，密度优势不过是神话。但长江存储和长鑫存储的同步推进，显然让这一判断面临挑战。

Counterpoint Research研究副总裁尼尔·沙阿指出，长江存储在晶圆对晶圆键合技术上的深厚积累，使其在向3D DRAM转型中占据有利位置。其独家的Xtacking技术将存储阵列与外围逻辑电路分开制造再键合，降低了对尖端光刻设备的依赖。

从NAND到DRAM，长江存储的跨界意味着中国存储产业正从单点突破走向全品类竞争。9600MT/s LPDDR5X若能如期量产，不仅将补齐国产移动内存的高端空白，更可能在AI终端与旗舰手机市场，为国产供应链撕开一道新的口子。

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