英特尔于当地时间周三披露其美国本土晶圆制造项目最新进展，亚利桑那州 Ocotillo 园区 Fab 62 晶圆厂进入生产设备安装阶段，目标 2028 年底投产。同时官方公布俄亥俄一号制造基地施工动态，并确认高数值孔径极紫外光刻（High‑NA EUV）技术已导入大规模生产。英特尔持续布局先进工艺研发、先进封装、光掩模产线，完善本土半导体配套供应链。
英特尔晶圆代工执行副总裁、首席技术与运营官纳加・钱德拉塞卡兰（Naga Chandrasekaran）表示：“在美国制造的技术与真正意义上的美国制造的技术之间存在着重要的区别。区别在于将创意转化为可制造技术的研发过程。”
Fab 62 进入设备安装阶段，2028 年底计划投产
Fab 62 厂房主体框架此前已完成施工，当前推进生产设备进场安装。英特尔计划该工厂于 2028 年底投入运营，暂未对外公布大规模量产时间及落地制程节点。
按照工艺规划，Fab 62 可兼容 18A、18A‑P、14A 工艺芯片制造。早期规划中，Fab 52、Fab 62 同步承载 20A、18A 先进工艺产能；目前 Fab 52 已确定用于 18A 量产，Fab 62 定位尚未敲定，后续可补充 18A 产能，或承载下一代 14A 工艺。
Fab 62 是 Ocotillo 园区第六座大批量晶圆厂。截至公告发布，英特尔未披露该厂规划产能与项目资本开支。设备进场标志项目从土建转向产线搭建，将进一步扩充亚利桑那州高端芯片制造、封测配套能力。
高 NA EUV 正式导入大规模生产，用于 Panther Lake 芯片制造
光刻端传来重要进展，英特尔确认高数值孔径极紫外光刻技术已集成至大规模产线。
英特尔在俄勒冈州希尔斯伯勒 D1X 晶圆厂落地首台商用高 NA EUV 光刻机，现已投入 Panther Lake 等产品部分芯片层的制造。戈登・摩尔园区作为英特尔前沿逻辑工艺研发与新产品导入基地，依托该设备持续积累高 NA EUV 的工艺适配与运行数据。
俄亥俄一号基地迎来施工里程碑，首座厂房完成桁架吊装
位于新奥尔巴尼的俄亥俄一号制造基地取得阶段性建设成果，首座晶圆厂完成首个大型结构桁架吊装。该项目是英特尔扩充美国本土先进芯片产能规划的重要组成部分。
英特尔暂未披露该基地投产时间、落地工艺路线以及规划产能，项目施工持续推进。
除晶圆制造产线外，英特尔持续加码美国本土产业链配套建设：
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新墨西哥州：量产基于 EMIB、EMIB‑T、Foveros 封装技术的多芯片产品；
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公告数据显示，英特尔在美国合作供应商覆盖 49 个州，数量超 4500 家，年度本土采购支出超 290 亿美元。英特尔提到，本土半导体产业竞争力，不只依赖晶圆产能，还需要工艺研发、先进封装以及完整供应链协同支撑。
文章来源：网络资讯
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