10月16日，重庆市科学技术奖励大会召开，会上正式揭晓2025年度重庆市科学技术奖。由华润微电子功率集成事业群（简称PIBG）旗下华润微电子（重庆）有限公司牵头，联合重庆大学、重庆邮电大学共同完成的“功率超结MOSFET芯片关键技术及应用”项目，凭借重大技术突破和显著产业应用价值，荣获2025年度重庆市科技进步奖二等奖。
重庆市科学技术奖于1997年由重庆市人民政府设立，是重庆在科学技术领域的最高级别奖项，旨在表彰为全市科技进步作出突出贡献的个人与组织。其中，科技进步奖更侧重行业关键核心技术攻关和产业化突破。
该项目针对国产超结MOSFET芯片在高端市场渗透率低、关键技术指标落后等痛点，通过理论创新、结构优化和工艺升级三位一体的技术攻关，取得三项主要技术突破：
一是第四代超结MOSFET的比导通电阻（Rsp）和FOM值达到国际领先品牌主流代次同等技术水平。
二是产品可靠性表现优异，截至2026年10月，已有数十颗超结MOSFET单管及半桥模块顺利通过车规考核。
三是基于国际一流12吋晶圆产线设备，成功开发超结MOSFET量产工艺平台并完成产品系列化，系列产品具备低导通损耗、高可靠性、高性价比及产品覆盖面广等优势。
△ 华润微重庆12吋功率器件晶圆生产线
依托该项目成果，PIBG成功开发出覆盖300V-1200V电压范围的产品系列，产品在新能源汽车、服务器电源、直流充电桩、光伏发电、储能变换和通信设备等高端核心领域实现规模化落地应用。近三年，该系列产品累计产生直接经济效益超过10亿元，已成为公司核心增长极，进一步巩固了华润微电子国内MOSFET第一品牌的行业地位。
此外，该项目高效完成车规级半桥模块开发，自2023年起批量向国内龙头新能源汽车厂供货，助力汽车产业向高效、可靠、安全升级。
△ 华润微超结MOSFET主要封装形式
本次获奖，是产学研协同合作的重要成果，华润微电子坚持自主创新与开放协同并重的研发理念，通过建立国家级创新平台、与高校联合攻关，最大化整合资源，提升公司整体核心竞争力。
多年来，华润微电子（重庆）有限公司与重庆大学、重庆邮电大学等高校开展深度合作，持续深耕超结MOSFET领域，有效整合高校基础研究实力与高端人才优势、企业的市场洞察力与产品化能力以及先进产线资源，加快打通从前沿技术研究到产品快速落地的转化通道。
在知识产权方面，该项目已累计获得国内外专利授权50余项。其中，项目核心发明专利《一种超结功率器件及其版图结构、制备方法》（专利号：ZL201610281159.4）荣获第二十五届中国专利优秀奖，彰显了项目在技术创新上的深厚积淀。
此次荣获重庆市科技进步奖，是华润微电子在功率半导体领域持续创新的又一重要里程碑。该项目完整展现了“产学研联合攻关—核心技术突破—产业化落地”的创新路径。未来，华润微电子将继续深化校企合作，携手产业链上下游企业，共同为重庆集成电路产业高质量发展贡献更大力量，向成为世界领先的功率半导体企业的目标稳步迈进。
内容/图片来源： 华润微电子功率集成事业群、华润微电子官网
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