引言
本文仅从尽可能全的方面做一个SI4432调试交流，说是指南只是自己的一些看法与体会。为什么选择433MHz，为什么选择SI4432都不是本文的重点。本文做为SI4432应用的文档之一，只做硬件说明，相关软件说明，请参考SI4432软件调试指南。
SI4432数据手册：
http://www.silabs.com/Support%20Documents/TechnicalDocs/Si4430-31-32.pdf
AN435 SI4432 PA匹配指南：
http://www.silabs.com/Support%20Documents/TechnicalDocs/AN435.pdf
AN440 SI4432寄存器手册：
http://www.silabs.com/Support%20Documents/TechnicalDocs/AN440.pdf
AN427 SI4432接收匹配指南：
http://www.silabs.com/Support%20Documents/TechnicalDocs/AN427.pdf
SI4432寄存器配置软件：
http://www.silabs.com/Support%20Documents/Software/Si443x-Register-Settings_RevB1.xls
如果想了解SI4432数据收发模式可以参考以下文档：
AN537 SI4432直接模式，FIFO模式，包模式说明文档：http://www.silabs.com/Support%20Documents/TechnicalDocs/AN537.pdf
有了以上文档，在使用SI4432时，不管软件，硬件都不会有什么难度。
官方的电路原理图是这样的：
好吧，电路很简单，可是元件值如何选？射频器件差一点就差很多，是不是一定要用专用的射频元件？做为常温测试来说，普通器件就可以满足，当然，如果要考虑温度、谐波、灵敏度等，电感还是选用高Q的，电容选择COG材质的。
看看PA元件如何选，AN435里写得很清楚。不想看原理的可以直接参考其值：
按以上参考值出17-19dBm是可以的，但是要满打满的出到20dBm，或者大于20dBm则需要根据板子微调部分元件，在你不知道如果调试时，可以小范围调整一下CM以及天线开关后面的低通滤波器，如果还是不行，那就调电感吧。
不想深究的可以跳过本节了，下面是AN435里对于PA匹配的原理性说明，感兴趣的可以继续往下面看，其实SI4432的硬件手册里说得是很全的，多看手册可以学到很多。
SI4432内部的PA并非传统的A,B,C类放大器，也不是D类，而是E类放大器，其实就是一个开关而已。
下图是AN435里一个开关类射频放大器的结构图。这个放大器理解起来很容易，比传统ABC类放大器容易多了。其中Lchoke为上拉电感，与三极管C极的电阻是一样的作用，在S0开关时，会给Cshunt充电，经过C0和L0组成的带通滤器器，滤除开关过程中产生的杂波及谐波，再经过Lx就可以得到一个正弦波。这类放大器只是提供一个方波，再通过LC选频。
是的，SI4432正是这样做的。Cshunt可能已经芯片内部集成(其实在SI4432某一份电路图还可以看到上面这种匹配方式)，外部的Lchoke与C0只是为了在工作频率下得到一个足够好的方波，谐波滤波器正是要把开关频率的谐波都滤掉，后面再经过低通滤波器，以得到干净的基频。
以上的Lchoke与C0参数下，TX脚上的电压是多少呢，用以下电路图测试：
顺便再提一句，SI4432的功率控制是如何实现的呢？AN435没有细说，只提了一句，通过控制开关管的fingers。大胆的猜想一下，其内部开关管是由多个组成的，每增加一个开关管，就会增加输出电流，以增加输出功率。有这个猜想的依据是：手机基站几百瓦的功放管内部就是一个个小MOS管并联起来的。
说完PA，可以进行LNA的匹配了。与TX脚不同的是，RX有两个脚，分正负端，没错，这是差分信号。而天线开关进来的信号是单端的，所以，需要一个单端变差分的变换电路，同时还需要考虑到与RX两个引脚的阻抗匹配，在官方给的参考电路中，这两部分是结合在一起的。下面就通过分析AN427来确定每一个元件值，及原理。
比较让人开心的是，官方已经把SI4432 LNA的阻抗测出来了，难能可贵的是还发了张图给我们看：
下面以315M做为匹配说明。下图是RX两引脚的阻抗等效电路图及该阻抗在史密斯圆图上的位置。
4、PCB布线
很自然的，需要说一下PCB布线的问题。以下是一些网上的PCB布线规则：（以下为完全复制，不考虑版权）
PCB设计对整个系统的性能影响很大。以下是设计Si4432的PCB时需要注意的地方：
①为了消除走线间的感性效应，应在PCB上空余的地方尽量多布置一些过孔。为了达到较好的射频通信效果，应对整个PCB都覆地铜。当提供了一个较好的RF地之后，TX／RX区域的对地敷铜区有助于减少甚至避免辐射干扰。
②电源接入端要添加去耦电容，且尽量靠近Si4432芯片。滤波电容也应该尽量靠近相应引脚，这样可以得到更好的滤波性能。
③Si4432的外围元件很少，应尽量使用体积小的0402封装贴片器件。其中，电感属于关键器件，需选用高精度电感。
④Si4432的扼流电感L1应尽量靠近Tx引脚；并联在RXn和RXp上的电感L2在PCB平面上应与L1垂直布局，Tx通道上的电感L1、L3、 L4、L5的方向需保证互相垂直以减少耦合；Tx通道和RXn/p通道之间未布线的区域应以接地的覆铜隔离开来，Tx通道匹配电路的布线区应尽可能不要占 用太大的板上区域。
⑤晶振的选择参照以下参数：等效串联电阻是60 Ω，负载电容是12 pF，频率准确度是±20×10-6。让晶振与芯片的晶振接入引脚尽量靠近，并用地线把时钟区隔离起来。
⑥设计PCB时，QFN封装的Si4432芯片底部接地。在Si4432芯片底部打9个12 mil(1 000 mail=25．4 mm)大小的接地过孔，以确保良好的接地和散热能力，增强通信可靠性。
⑦板上的走线尽可能不要经过Tx／RXn/p区域，以防止匹配网络的耦合效应。
芯片是4.0mm*4.0mm,20脚QFN封装，底部为地。必须通过一些过孔将芯片的地与pcb板的地很好的结合起来；
为了减少不必要的耦合，尽量避免一些较敏感的数字（和MCU相通信的网络），射频走线平行，芯片底部不能走线。同样是为了尽量减少耦合，确保相同网络的走线线宽要相同，以及在空间允许的范围内敏感走线间距离至少为线宽的3倍；
在射频前端电路，相邻电感成相互垂直状放置，以较少耦合；
发射电路和接收电路中间留下足够大的地，避免相互间的耦合；
偏置电路中的扼流电感尽量靠近TX脚，减少发射对接收电路的影响；
射频电路中的元器件，尽量靠拢并使用较小封装的元器件，减少寄生电容的产生或影响；
在空间允许的情况下，尽量保持射频走线和地之间的距离，最好大于0.5mm；
射频电路中，元器件接地的脚周围放置尽量多的过孔来减少寄生电感及其影响；
电源滤波电路中的电路应该尽量靠近vdd脚，以确保滤波电容和VDD间的环路面积最小；(要强调一点，参考电路中的电源滤波电容一个都不能少，每个电容都有其作用。此前有过，因为少了某个电容致使模块工作不正常，死机的现象发生)
晶振尽量靠近芯片减少寄生电容的产生，寄生电容过多容易产生频率漂移，晶体下面不要走任何线，特别是电源线；
射频前段电路放置尽量大的地和足够多的过孔，射频走线下面（BOTTOM 面）尽量不要走线或走过长的线，这样可以避免信号通过它们辐射出去；
射频线宽尽量粗，pcb板近量薄
以上规则能遵守就不要冲突吧，主要就是：电感垂直放，地要多连续，过孔多，线不要太小气，馈线短，其它都不要紧。这是我的经验，可以不相信。看看我的板的布局，照抄吧，我没意见。
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