据路透社报道，韩国SK海力士正寻求美国政府批准向中国出口美国制造的半导体设备，以扩大其在华产能，并将此作为在美国建设新工厂的条件之一。
在全球存储芯片供应短缺、价格上涨的背景下，SK海力士的美国子公司Solidigm希望在其位于中国大连的工厂内，利用闲置厂房安装新设备，扩大NAND闪存芯片产能。NAND闪存广泛应用于数据中心的人工智能和云计算固态硬盘（SSD）。
据透露，SK海力士的大连工厂内设有一处名为Mod B的厂房空间，该厂房于2023年建成。然而，由于当时存储市场陷入低迷，相关设备的安装配置工作未能完成。
消息人士表示，Mod B内已经配备了部分芯片制造设备，但仍有大量空间可供后续增设设备，而后续需要的设备来自美国主要半导体设备制造商，包括泛林、应材和科磊（KLA）。
SK海力士在给路透社的一份声明中表示：“Mod B厂房的设备安装工作是在与美国政府密切协商并获得授权的情况下进行的。”该公司还表示：“大连Mod B项目于2023年完工，并未寻求扩大产能。”
据路透社上个月报道称，Solidigm正在考虑在美国建设一座NAND闪存芯片工厂。半导体制造工厂通常被称为晶圆厂，建设过程需要数年时间，并耗资数十亿美元。
一位知情人士表示，在中国扩大产量将有助于Solidigm为其美国NAND工厂提供资金，并在美国工厂投产前形成产能衔接，为未来增加美国本土产量铺路。
另一位消息人士称，Solidigm还在考虑最早于明年进行首次公开募股（IPO），以筹集资金，为其美国工厂的建设提供资金支持。
Solidigm前身为英特尔NAND业务，SK海力士2020年以近90亿美元接盘后，因行业凛冬连续两年巨亏超7万亿韩元。转机源于AI推理对大容量存储的爆发式需求，拉动企业级SSD量价齐升。最新财报显示，其上半年营收暴增265%至12.25万亿韩元，净利率飙至47.7%，实现累计扭亏，完成了一场惊艳的周期逆袭。
TechInsights专家曾表示，几年前经历市场低迷后，如今NAND闪存市场已进入繁荣周期，预计未来几年供应仍将持续紧张。他指出，自2023年年中以来，NAND闪存价格已上涨至原来的七倍。
去年，美国商务部撤销了此前授予SK海力士和三星电子的授权。根据原有授权，两家公司在中国的工厂使用美国设备时，无需逐次申请出口许可证。
此后，美国商务部表示，将通过发放出口许可证，允许两家公司继续运营其在中国的现有工厂，但预计不会批准用于扩大产能或升级技术的设备出口许可。今年12月，该部门向SK海力士的大连厂区发放了一份适用于2026年的许可证，但对可引入的设备数量作出了限制。
一位知情人士称，美国商务部尚未发放允许SK海力士在2027年引入更多美国制造设备和技术的许可证。该人士还表示，SK海力士旗下的Solidigm也已申请出口许可证，希望为Mod B采购更多设备。
上月还有报道称，SK海力士还在与英特尔分别进行谈判，商讨租用英特尔位于俄亥俄州、长期规划中的部分芯片制造设施。
在全球NAND闪存供应商中，SK海力士与三星电子位居前两位，其中SK海力士的市场地位仅次于三星。此外，这家韩国企业已在美国印第安纳州破土动工，建设一座用于高带宽存储器（HBM）的先进封装工厂。
根据市场研究机构Counterpoint Research的数据，中国NAND闪存制造商长江存储（YMTC）在2026年第二季度升至全球第三位。